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BM6103FV-C

产品描述Isolation voltage 2500Vrms 1ch Gate Driver Providing Galvanic Isolation
文件大小922KB,共34页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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BM6103FV-C概述

Isolation voltage 2500Vrms 1ch Gate Driver Providing Galvanic Isolation

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BM6103FV-C
Datasheet
Gate Driver Providing Galvanic isolation Series
Isolation voltage 2500Vrms
1ch Gate Driver Providing Galvanic Isolation
BM6103FV-C
●General
Description
The BM6103FV-C is a gate driver with isolation voltage
2500Vrms, I/O delay time of 350ns, and minimum input
pulse width of 180ns, and incorporates the fault signal
output functions, undervoltage lockout (UVLO) function,
thermal protection function, and short current protection
(SCP, DESAT) function.
●Features
Providing Galvanic Isolation
Active Miller Clamping
Fault signal output function
(Adjustable output holding time)
Undervoltage lockout function
Thermal protection function
Short current protection function
(Adjustable reset time)
Soft turn-off function for short current protection
(Adjustable turn-off time)
Supporting Negative VEE2
●Key
Specifications
Isolation voltage:
Maximum gate drive voltage:
I/O delay time:
Minimum input pulse width:
●Package
SSOP-B20W
2500Vrms
24V
350ns(Max.)
180ns(Max.)
W(Typ.) x D(Typ.) x H(Max.)
6.50mm x 8.10mm x 2.01mm
●Applications
Automotive isolated IGBT/MOSFET inverter gate drive
Automotive DC-DC converter
Industrial inverters system
UPS system
●Typical
Application Circuits
GND1
PROOUT
LOGIC
MASK
FLTRLS
VCC1
FLT
UVLO
MASK
FB
TIMER
LOGIC
VEE2
R
FLT RLS
NC
INB
S
Q
R
PRE
DRIVER
VEE2
OUT1
VCC2
UVLO
MASK
OUT2
SCPIN
GND2
VEE2
VTSIN
ECU
C
FLT RLS
C
VCC1
INA
ENA
TEST
MASK
GND1
FLT
TIMER
FLT
MASK
MASK
Input side
chip
Output side
chip
Temp Sensor
Figure 1. For using 4-pin IGBT (for using SCP function)
GND1
PROOUT
LOGIC
MASK
S
Q
R
VCC2
LOGIC
FB
TIMER
PRE
DRIVER
VEE2
OUT1
R
FLT RLS
NC
INB
FLTRLS
VCC1
FLT
UVLO
MASK
UVLO
MASK
OUT2
SCPIN
GND2
VEE2
VTSIN
ECU
C
FLT RLS
C
VCC1
INA
ENA
TEST
GND1
MASK
FLT
TIMER
FLT
MASK
MASK
Input side
chip
Output side
chip
Temp Sensor
Figure 2. For using 3-pin IGBT (for using DESAT function)
○Product
structure:Silicon integrated circuit
.
www.rohm.com
© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111・14・001
○This
product is not designed protection against radioactive rays
1/31
TSZ02201-0717ABH00010-1-2
29.Aug.2012 Rev.004
C
VCC2
VEE2
VREG
C
VCC2
VREG

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