12A, 200V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CERAMIC, LCC-3
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
| 零件包装代码 | DLCC |
| 包装说明 | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 12 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 12 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.15 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-CBCC-N3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 17 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 40 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| FSGYE230R4 | FSGYE230R3 | FSGYE230D1 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 12A, 200V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CERAMIC, LCC-3 | 12A, 200V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CERAMIC, LCC-3 | 12A, 200V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CERAMIC, LCC-3 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
| 零件包装代码 | DLCC | DLCC | DLCC |
| 包装说明 | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 |
| 针数 | 3 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 外壳连接 | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 200 V | 200 V | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 12 A | 12 A | 12 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 12 A | 12 A | 12 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.15 Ω | 0.15 Ω | 0.15 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-CBCC-N3 | R-CBCC-N3 | R-CBCC-N3 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 17 W | 17 W | 17 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 40 A | 40 A | 40 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
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