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PSMN165-200K

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小484KB,共13页
制造商Nexperia
官网地址https://www.nexperia.com
标准
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PSMN165-200K概述

Small Signal Field-Effect Transistor

PSMN165-200K规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Nexperia
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)2.9 A
最大漏源导通电阻0.165 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码MS-012AA
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
湿度敏感等级2
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
表面贴装YES
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

PSMN165-200K相似产品对比

PSMN165-200K 934056597118 PSMN165-200K/T3
描述 Small Signal Field-Effect Transistor Small Signal Field-Effect Transistor Small Signal Field-Effect Transistor
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V
最大漏极电流 (ID) 2.9 A 2.9 A 2.9 A
最大漏源导通电阻 0.165 Ω 0.165 Ω 0.165 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 MS-012AA MS-012AA MS-012AA
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
元件数量 1 1 1
端子数量 8 8 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
是否Rohs认证 符合 不符合 -
厂商名称 Nexperia - Nexperia
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED -
处于峰值回流温度下的最长时间 30 NOT SPECIFIED -

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