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STQ2006: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 90V, 5ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小40KB，共1页; 制造商Silicon Transistor Corporation

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STQ2006概述

Power Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 90V, 5ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Silicon Transistor Corporation
包装说明	IN-LINE, R-PDIP-T14
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
配置	SEPARATE, 4 ELEMENTS
最小漏源击穿电压	90 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.41 A
最大漏极电流 (ID)	0.41 A
最大漏源导通电阻	5 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDIP-T14
JESD-609代码	e0
元件数量	4
端子数量	14
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	1.3 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON

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