Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Vishay(威世) |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 配置 | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 1.9 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1.2 W |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| SI6820DQ | SI6820DQ-T1-E3 | SI6820DQ-T1 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | mosfet 小信号 20v 1.9A 1.2W | mosfet 小信号 20v 1.9A 1.2W |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Vishay(威世) | Vishay(威世) | Vishay(威世) |
| 包装说明 | , | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| Reach Compliance Code | compliant | compli | compli |
| 配置 | Single | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码 | e0 | e3 | e0 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | MATTE TIN | TIN LEAD |
| 零件包装代码 | - | TSSOP | TSSOP |
| 针数 | - | 8 | 8 |
| ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 |
| 最小漏源击穿电压 | - | 20 V | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID) | - | 1.9 A | 1.9 A |
| 最大漏源导通电阻 | - | 0.16 Ω | 0.16 Ω |
| JESD-30 代码 | - | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
| 元件数量 | - | 1 | 1 |
| 端子数量 | - | 8 | 8 |
| 工作模式 | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | - | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | - | 260 | 240 |
| 认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 端子形式 | - | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | - | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | - | 40 | 30 |
| 晶体管元件材料 | - | SILICON | SILICON |
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