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ABH9001-852

产品描述Mixer Diode, High Barrier, X Band, 6.5dB Noise Figure, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小311KB,共6页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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ABH9001-852概述

Mixer Diode, High Barrier, X Band, 6.5dB Noise Figure, Silicon,

ABH9001-852规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明S-XXMW-F3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大二极管电容0.3 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
频带X BAND
JESD-30 代码S-XXMW-F3
最大噪声指数6.5 dB
元件数量2
端子数量3
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式MICROWAVE
脉冲输入最大功率0.075 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式FLAT
端子位置UNSPECIFIED
肖特基势垒类型HIGH BARRIER
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