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2N7323D

产品描述23A, 100V, 0.14ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小127KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2N7323D概述

23A, 100V, 0.14ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA

2N7323D规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性RADIATION HARDENED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)23 A
最大漏极电流 (ID)23 A
最大漏源导通电阻0.14 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-254AA
JESD-30 代码S-MSFM-P3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型P-CHANNEL
功耗环境最大值125 W
最大功率耗散 (Abs)125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)69 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)400 ns
最大开启时间(吨)790 ns
Base Number Matches1

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