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5962-86716012X

产品描述IC QUAD 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, CQCC20, CERAMIC, LCC-20, Multiplexer or Switch
产品类别模拟混合信号IC    信号电路   
文件大小293KB,共9页
制造商ADI(亚德诺半导体)
官网地址https://www.analog.com
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5962-86716012X概述

IC QUAD 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, CQCC20, CERAMIC, LCC-20, Multiplexer or Switch

5962-86716012X规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码QLCC
包装说明CERAMIC, LCC-20
针数20
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
模拟集成电路 - 其他类型SPST
JESD-30 代码S-CQCC-N20
JESD-609代码e0
长度8.89 mm
负电源电压最大值(Vsup)-16.5 V
负电源电压最小值(Vsup)-13.5 V
标称负供电电压 (Vsup)-15 V
信道数量1
功能数量4
端子数量20
标称断态隔离度72 dB
通态电阻匹配规范3 Ω
最大通态电阻 (Ron)50 Ω
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCN
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)220
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.54 mm
最大供电电压 (Vsup)16.5 V
最小供电电压 (Vsup)13.5 V
标称供电电压 (Vsup)15 V
表面贴装YES
最长断开时间50 ns
最长接通时间50 ns
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度8.89 mm
Base Number Matches1

文档解析

ADG201HS是一款高速四路单刀单掷(SPST)模拟开关,采用增强型LC2MOS工艺制造,专为需要快速切换和低导通电阻的应用而设计。该器件支持单电源和双电源操作,提供break-before-make切换特性,确保在多路复用器配置中防止信号短路。其设计优化了开关速度和功耗,适用于各种工业和高精度电子系统。 关键特性包括最大50纳秒的开关时间、典型30欧姆的导通电阻、以及电源电压范围从+10.8伏到+16.5伏的单电源操作。器件还具备扩展的温度范围(-40°C至+85°C),低泄漏电流典型值为100皮安培,和高关断隔离度。这些特性确保了可靠的性能和在恶劣环境下的稳定性。 该开关广泛应用于数据采集系统、通信设备、音频视频切换和自动化控制。其高速性能和低泄漏使其适合精密测量和电池供电设备,而多种封装选项(如DIP、SOIC、PLCC和LCCC)提供设计灵活性,满足不同应用需求。

5962-86716012X相似产品对比

5962-86716012X 5962-8671601EX
描述 IC QUAD 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, CQCC20, CERAMIC, LCC-20, Multiplexer or Switch IC QUAD 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, CDIP20, CERDIP-16, Multiplexer or Switch
是否Rohs认证 不符合 不符合
零件包装代码 QLCC DIP
包装说明 CERAMIC, LCC-20 DIP,
针数 20 16
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
模拟集成电路 - 其他类型 SPST SPST
JESD-30 代码 S-CQCC-N20 R-GDIP-T20
JESD-609代码 e0 e0
长度 8.89 mm 19.495 mm
负电源电压最大值(Vsup) -16.5 V -16.5 V
负电源电压最小值(Vsup) -13.5 V -13.5 V
标称负供电电压 (Vsup) -15 V -15 V
信道数量 1 1
功能数量 4 4
端子数量 20 20
标称断态隔离度 72 dB 72 dB
通态电阻匹配规范 3 Ω 3 Ω
最大通态电阻 (Ron) 50 Ω 50 Ω
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 QCCN DIP
封装形状 SQUARE RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) 220 NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2.54 mm 4.572 mm
最大供电电压 (Vsup) 16.5 V 16.5 V
最小供电电压 (Vsup) 13.5 V 13.5 V
标称供电电压 (Vsup) 15 V 15 V
表面贴装 YES NO
最长断开时间 50 ns 50 ns
最长接通时间 50 ns 50 ns
技术 CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 NO LEAD THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 QUAD DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 NOT SPECIFIED
宽度 8.89 mm 7.62 mm
Base Number Matches 1 1
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