MC74VHC1GT125
Noninverting Buffer /
CMOS Logic Level Shifter
with LSTTL−Compatible Inputs
The MC74VHC1GT125 is a single gate noninverting buffer
fabricated with silicon gate CMOS technology. It achieves high speed
operation similar to equivalent Bipolar Schottky TTL while
maintaining CMOS low power dissipation.
The MC74VHC1GT125 requires the 3−state control input (OE) to
be set High to place the output into the high impedance state.
The device input is compatible with TTL−type input thresholds and
the output has a full 5 V CMOS level output swing. The input protection
circuitry on this device allows overvoltage tolerance on the input,
allowing the device to be used as a logic−level translator from 3 V
CMOS logic to 5 V CMOS Logic or from 1.8 V CMOS logic to 3 V
CMOS Logic while operating at the high−voltage power supply.
The MC74VHC1GT125 input structure provides protection when
voltages up to 7 V are applied, regardless of the supply voltage. This
allows the MC74VHC1GT125 to be used to interface 5 V circuits to
3 V circuits. The output structures also provide protection when
V
CC
= 0 V. These input and output structures help prevent device
destruction caused by supply voltage
−
input/output voltage mismatch,
battery backup, hot insertion, etc.
Features
http://onsemi.com
MARKING
DIAGRAMS
5
1
SC−88A / SOT−353 / SC−70
DF SUFFIX
CASE 419A
5
W1 M
G
G
M
1
5
W1 M
G
G
1
5
1
TSOP−5 / SOT−23 / SC−59
DT SUFFIX
CASE 483
W1
M
G
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
High Speed: t
PD
= 3.5 ns (Typ) at V
CC
= 5 V
Low Power Dissipation: I
CC
= 1
mA
(Max) at T
A
= 25°C
TTL−Compatible Inputs: V
IL
= 0.8 V; V
IH
= 2 V
CMOS−Compatible Outputs: V
OH
> 0.8 V
CC
; V
OL
< 0.1 V
CC
@Load
Power Down Protection Provided on Inputs and Outputs
Balanced Propagation Delays
Pin and Function Compatible with Other Standard Logic Families
Chip Complexity: FETs = 62; Equivalent Gates = 16
These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant
NLV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q100
Qualified and PPAP Capable
OE 1
IN A 2
GND 3
4 OUT Y
5 V
CC
= Device Code
= Date Code*
= Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
*Date Code orientation and/or position may vary
depending upon manufacturing location.
PIN ASSIGNMENT
1
2
3
4
5
OE
IN A
GND
OUT Y
V
CC
FUNCTION TABLE
A Input
L
H
X
OE Input
L
L
H
Y Output
L
H
Z
Figure 1. Pinout
(Top View)
OE
IN A
OUT Y
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 4 of this data sheet.
Figure 2. Logic Symbol
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2012
September, 2012
−
Rev. 14
1
Publication Order Number:
MC74VHC1GT125/D
MC74VHC1GT125
MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
q
JA
T
L
T
J
T
stg
V
ESD
DC Supply Voltage
DC Input Voltage
DC Output Voltage
Input Diode Current
Output Diode Current
DC Output Current, per Pin
DC Supply Current, V
CC
and GND
Power Dissipation in Still Air
Thermal Resistance
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 s
Junction Temperature Under Bias
Storage Temperature
ESD Withstand Voltage
Human Body Model (Note 1)
Machine Model (Note 2)
Charged Device Model (Note 3)
Above V
CC
and Below GND at 125°C (Note 4)
SC−88A, TSOP−5
SC−88A, TSOP−5
V
OUT
< GND; V
OUT
> V
CC
V
CC
= 0
High or Low State
Characteristics
Value
−0.5
to +7.0
−0.5
to +7.0
−0.5
to 7.0
−0.5
to V
CC
+ 0.5
−20
+20
+25
+50
200
333
260
+150
−65
to +150
> 2000
> 200
N/A
±500
Unit
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C/W
°C
°C
°C
V
I
Latchup
Latchup Performance
mA
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. Tested to EIA/JESD22−A114−A
2. Tested to EIA/JESD22−A115−A
3. Tested to JESD22−C101−A
4. Tested to EIA/JESD78
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Symbol
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
r
, t
f
DC Supply Voltage
DC Input Voltage
DC Output Voltage
Operating Temperature Range
Input Rise and Fall Time
V
CC
= 5.0 V
±
0.5 V
Characteristics
Min
3.0
0.0
0.0
−55
0
Max
5.5
5.5
V
CC
+125
20
Unit
V
V
V
°C
ns/V
Device Junction Temperature versus
Time to 0.1% Bond Failures
NORMALIZED FAILURE RATE
Junction
Temperature
5C
80
90
100
110
120
130
140
Time, Hours
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
Time, Years
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
FAILURE RATE OF PLASTIC = CERAMIC
UNTIL INTERMETALLICS OCCUR
TJ = 130
°
C
TJ = 100
°
C
TJ = 120
°
C
TJ = 110
°
C
TJ = 80
°
C
100
TIME, YEARS
TJ = 90
°
C
1
1
10
1000
Figure 3. Failure Rate vs. Time
Junction Temperature
http://onsemi.com
2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î ÎÎ Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î ÎÎ Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î ÎÎ Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î ÎÎ Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î ÎÎ Î Î Î
Î
Î
Î Î Î ÎÎ Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î Î Î ÎÎ Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î Î Î ÎÎ Î Î Î
Î Î ÎÎ Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î ÎÎ Î Î Î
Î
Î
Î Î Î ÎÎ Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î Î Î ÎÎ Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î Î Î ÎÎ Î Î Î
Î Î ÎÎ Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î ÎÎ Î Î Î
Î
Î
Î Î Î ÎÎ Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î ÎÎ Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î ÎÎ Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î ÎÎ Î Î Î
Î
Î
Î Î Î ÎÎ Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î ÎÎ Î Î Î
Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎ Î Î Î
Î
ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎ Î Î
Î
Î
Î Î Î Î
ÎÎ Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î Î Î Î
ÎÎ Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î Î
ÎÎ Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎ Î Î Î
Î
ÎÎ Î Î
Î
Î
Î Î Î Î
ÎÎ Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎ Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î Î Î Î
Î Î Î
ÎÎ Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎ Î Î Î
Î
ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎ Î Î Î
Î
ÎÎ Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î
Î
Î
Î Î Î Î
ÎÎ Î Î
ÎÎ Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î ÎÎ Î Î
Î Î Î
Î
ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Input t
r
= t
f
= 3.0 ns
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
t
PLH
,
t
PHL
Symbol
t
PLZ
,
t
PHZ
t
PZL
,
t
PZH
I
OPD
I
OPD
I
CCT
V
OH
C
out
V
OL
V
IH
I
CC
I
OZ
C
in
V
IL
I
IN
Maximum Output
Enable TIme,OE to Y
(Figures 4 and 5)
Maximum Three−State
Output Capacitance
(Output in High Impedance
State)
Maximum Input Capacitance
Maximum Output
Disable Time,OE to Y
(Figures 4 and 5)
Parameter
Maximum Propagation
Delay, A to Y
(Figures 3 and 5.)
Output Leakage
Current
Maximum 3−State
Leakage Current
Output Leakage
Current
Quiescent Supply
Current
Maximum Quiescent
Supply Current
Maximum Input
Leakage Current
Maximum Low−Level
Output Voltage
V
IN
= V
IH
or V
IL
Minimum High−Level
Output Voltage
V
IN
= V
IH
or V
IL
Maximum Low−Level
Input Voltage
Minimum High−Level
Input Voltage
Parameter
V
IN
= V
IH
or V
IL
I
OH
=
−
4 mA
I
OH
=
−
8 mA
Input: V
IN
= 3.4 V
Other Input: V
CC
or
GND
V
OUT
= 5.5 V
V
IN
= V
IH
or V
IL
V
OUT
= V
CC
or GND
V
OUT
= 5.5 V
V
IN
= V
CC
or GND
V
IN
= 5.5 V or GND
V
IN
= V
IH
or V
IL
I
OL
= 4 mA
I
OL
= 8 mA
V
IN
= V
IH
or V
IL
I
OL
= 50
mA
V
IN
= V
IH
or V
IL
I
OH
=
−
50
mA
Test Conditions
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
R
L
= R
I
= 500
W
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
R
L
= R
I
= 500
W
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
R
L
= R
I
= 500
W
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
R
L
= R
I
= 500
W
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
Test Conditions
14
C
PD
Power Dissipation Capacitance (Note 5)
pF
5. C
PD
is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load.
Average operating current can be obtained by the equation: I
CC(OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
/ 4 (per buffer). C
PD
is used to determine the
no−load dynamic power consumption; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
MC74VHC1GT125
http://onsemi.com
C
L
= 15pF
C
L
= 50pF
C
L
= 15pF
C
L
= 50pF
C
L
= 15pF
C
L
= 50pF
C
L
= 15pF
C
L
= 50pF
C
L
= 15pF
C
L
= 50pF
C
L
= 15pF
C
L
= 50pF
V
CC
(V)
0 to
5.5
0.0
5.5
0.0
5.5
5.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
2.58
3.94
Min
2.9
4.4
1.4
2.0
2.0
Min
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
Typ
0.0
0.0
3.0
4.5
Typ
4.8
7.0
6.5
8.0
3.6
5.1
5.4
7.9
3.8
5.3
5.6
8.1
6
4
±
0.25
±
0.10
1.35
0.36
0.36
0.53
0.8
0.8
Max
0.5
0.5
1.0
0.1
0.1
9.7
13.2
Max
8.0
11.5
8.0
11.5
6.8
8.8
5.1
7.1
5.5
7.5
10
Typical @ 25°C, V
CC
= 5.0 V
2.48
3.80
Min
2.9
4.4
1.4
2.0
2.0
Min
T
A
≤
85°C
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
T
A
≤
85°C
±
1.0
±
2.5
1.50
0.44
0.44
0.53
0.8
0.8
Max
8.0
10.0
9.5
13.0
9.5
13.0
Max
11.5
15.0
5.0
5.0
0.1
0.1
20
6.0
8.0
6.5
8.5
10
−55
≤
T
A
≤
125°C
−55
≤
T
A
≤
125°C
2.34
3.66
Min
Min
2.9
4.4
1.4
2.0
2.0
±
1.0
±
2.5
8.5
10.5
10.0
12.0
14.5
18.0
12.0
16.0
Max
1.65
0.52
0.52
0.53
0.8
0.8
Max
11.5
15.0
7.5
9.5
0.1
0.1
10
10
10
40
Unit
ns
Unit
mA
mA
mA
mA
mA
mA
pF
pF
ns
ns
V
V
V
V
3
MC74VHC1GT125
SWITCHING WAVEFORMS
OE
V
CC
50%
A
t
PLH
50% V
CC
Y
Y
50% V
CC
t
PHL
GND
Y
t
PZL
50% V
CC
t
PZH
t
PHZ
t
PLZ
V
CC
50%
GND
HIGH
IMPEDANCE
V
OL
+ 0.3V
V
OH
- 0.3V
Figure 4. Switching Waveforms
Figure 5.
HIGH
IMPEDANCE
TEST POINT
OUTPUT
DEVICE
UNDER
TEST
TEST POINT
OUTPUT
1 kW
CONNECT TO V
CC
WHEN
TESTING t
PLZ
AND t
PZL.
CONNECT TO GND WHEN
TESTING t
PHZ
AND t
PZH.
C
L
*
DEVICE
UNDER
TEST
C
L
*
*Includes all probe and jig capacitance
*Includes all probe and jig capacitance
Figure 6. Test Circuit
Figure 7. Test Circuit
INPUT
Figure 8. Input Equivalent Circuit
ORDERING INFORMATION
Device
M74VHC1GT125DF1G
M74VHC1GT125DF2G
M74VHC1GT125DT1G
NLVVHC1GT125DF1G*
NLVVHC1GT125DF2G*
NLVVHC1GT125DT1G*
Package
SC−88A / SOT−353 / SC−70
(Pb−Free)
TSOP−5 / SOT−23 / SC−59
(Pb−Free)
SC−88A / SOT−353 / SC−70
(Pb−Free)
TSOP−5 / SOT−23 / SC−59
(Pb−Free)
Shipping
†
3000/Tape & Reel
†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
*NLV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q100 Qualified and PPAP
Capable.
http://onsemi.com
4
MC74VHC1GT125
PACKAGE DIMENSIONS
SC−88A (SC−70−5/SOT−353)
CASE 419A−02
ISSUE K
A
G
5
4
S
1
2
3
−B−
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. 419A−01 OBSOLETE. NEW STANDARD
419A−02.
4. DIMENSIONS A AND B DO NOT INCLUDE
MOLD FLASH, PROTRUSIONS, OR GATE
BURRS.
INCHES
MIN
MAX
0.071
0.087
0.045
0.053
0.031
0.043
0.004
0.012
0.026 BSC
---
0.004
0.004
0.010
0.004
0.012
0.008 REF
0.079
0.087
MILLIMETERS
MIN
MAX
1.80
2.20
1.15
1.35
0.80
1.10
0.10
0.30
0.65 BSC
---
0.10
0.10
0.25
0.10
0.30
0.20 REF
2.00
2.20
D
5 PL
0.2 (0.008)
M
B
M
N
J
C
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
N
S
H
K
http://onsemi.com
5
模拟与混合信号
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
