NLSF3T125
Quad Bus Buffer
with 3−State Control Inputs
The NLSF3T125 is a high speed CMOS quad bus buffer fabricated
with silicon gate CMOS technology. It achieves high speed operation
similar to equivalent Bipolar Schottky TTL while maintaining CMOS
low power dissipation.
The NLSF3T125 requires the 3−state control input (OE) to be set
High to place the output into the high impedance state.
The T125 inputs are compatible with TTL levels. This device can be
used as a level converter for interfacing 3.3 V to 5.0 V, because it has
full 5.0 V CMOS level output swings.
The NLSF3T125 input structures provide protection when voltages
between 0 V and 5.5 V are applied, regardless of the supply voltage.
The output structures also provide protection when V
CC
= 0 V. These
input and output structures help prevent device destruction caused by
supply voltage
−
input/output voltage mismatch, battery backup, hot
insertion, etc.
The internal circuit is composed of three stages, including a buffer
output which provides high noise immunity and stable output. The
inputs tolerate voltages up to 7.0 V, allowing the interface of 5.0 V
systems to 3.0 V systems.
Features
http://onsemi.com
1
QFN−16
CASE 485G
MARKING DIAGRAM
NLSF3
T125
ALYWG
G
NLSF3T125
A
L
Y
W
G
= Specific Device Code
= Assembly Location
= Wafer Lot
= Year
= Work Week
= Pb−Free Package
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
High Speed: t
PD
= 3.8 ns (Typ) at V
CC
= 5.0 V
Low Power Dissipation: I
CC
= 4.0
mA
(Max) at T
A
= 25°C
TTL−Compatible Inputs: V
IL
= 0.8 V; V
IH
= 2.0 V
Power Down Protection Provided on Inputs
Balanced Propagation Delays
Designed for 2.0 V to 5.5 V Operating Range
Low Noise: V
OLP
= 0.8 V (Max)
Pin and Function Compatible with Other Standard Logic Families
Latchup Performance Exceeds 300 mA
ESD Performance: Human Body Model; > 2000 V,
Machine Model; > 200 V
•
Chip Complexity: 72 FETs or 18 Equivalent Gates
•
These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant
FUNCTION TABLE
NLSF3T125
Inputs
A
H
L
X
OE
L
L
H
Output
Y
H
L
Z
(Note: Microdot may be in either location)
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping
†
NLSF3T125MNR2G QFN−16 3000/Tape & Reel
(Pb−Free)
†For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2011
June, 2011
−
Rev. 5
1
Publication Order Number:
NLSF3T125/D
NLSF3T125
Active−Low Output Enables
A1
OE1
A2
OE2
A3
OE3
A4
OE4
16
15
4
3
8
9
12
13
10
Y4
7
Y3
5
Y2
1
Y1
Figure 1. Logic Diagram
A1
16
Y1
NC
OE2
A2
1
2
3
4
5
Y2
OE1 V
CC
15
14
OE4
13
12
11
10
9
A4
NC
Y4
OE3
Exposed Pad (EP)
6
7
8
A3
GND Y3
Figure 2. QFN
−
16 Pinout (Top View)
Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CC
V
in
V
out
Parameter
Value
Units
V
V
V
DC Supply Voltage
DC Input Voltage
−0.5
to +7.0
–0.5 to +7.0
DC Output Voltage
Output in 3−State
High or Low State
Input Diode Current
–0.5 to +7.0
–0.5 to V
CC
+ 0.5
−20
±20
±25
±75
I
IK
mA
mA
mA
mA
I
OK
I
out
P
D
Output Diode Current (V
OUT
< GND; V
OUT
> V
CC
)
DC Output Current, per Pin
DC Supply Current, V
CC
and GND Pins
Power Dissipation in Still Air
QFN Packages
Storage Temperature
I
CC
500
mW
°C
T
stg
–65 to +150
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress
ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied.
Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device
reliability.
This device contains protection
circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
fields. However, precautions must
be taken to avoid applications of any
voltage higher than maximum rated
voltages to this high−impedance cir-
cuit. For proper operation, V
in
and
V
out
should be constrained to the
range GND
v
(V
in
or V
out
)
v
V
CC
.
Unused inputs must always be
tied to an appropriate logic voltage
level (e.g., either GND or V
CC
).
Unused outputs must be left open.
http://onsemi.com
2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎ
Î
Î
ÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î ÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎ
Î
Î
ÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î ÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎ
Î
Î
ÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î ÎÎ
Î
Î
ÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î ÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎ
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎ
Î Î Î Î Î Î ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎ
Î
Î
ÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î ÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î
ÎÎ Î Î ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ
Î Î Î Î Î Î ÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Symbol
I
OPD
I
CCT
V
OH
V
OL
V
IH
I
CC
I
OZ
V
IL
I
IN
Symbol
V
CC
V
out
t
r
, t
f
V
in
T
A
Output
Leakage
Current
Maximum
3−State
Leakage
Current
Quiescent
Supply
Current
Maximum
Quiescent
Supply Current
Maximum
Input Leakage
Current
Maximum
Low−Level
Output Voltage
V
IN
= V
IH
or V
IL
Minimum
High−Level
Output Voltage
V
IN
= V
IH
or V
IL
Maximum
Low−Level
Input Voltage
Minimum
High−Level
Input Voltage
Parameter
Input Rise and Fall Time
V
CC
= 5.0 V
±0.5
V
Operating Temperature
DC Output Voltage
Output in 3−State
High or Low State
DC Input Voltage
DC Supply Voltage
V
OL
@ I
OL
, 50 mA
V
IN
= V
IH
or V
IL
I
OL
= 50
mA
V
OL
@ I
OL
, 50 mA
V
IN
= V
IH
or V
IL
I
OH
=
−50
mA
V
IN
= V
IH
or V
IL
I
OH
=
−2.0
mA
I
OH
=
−4.0
mA
I
OH
=
−8.0
mA
V
OUT
= 5.5 V
V
IN
= V
IH
or V
IL
V
OUT
= V
CC
or GN
D
Input: V
IN
= 3.4 V
V
IN
= V
CC
or GND
V
IN
= 5.5 V or
GND
V
IN
= V
IH
or V
IL
I
OL
= 2.0 mA
I
OL
= 4.0 mA
I
OL
= 8.0 mA
2.3 V
±
0.3 V
3.3 V
±
0.3 V
5.0 V
±
0.5 V
2.3 V
±
0.3 V
3.3 V
±
0.3 V
5.0 V
±
0.5 V
Test Conditions
V
CC
(V)
0.0
5.5
5.5
5.5
0
to
5.5
2.0
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
Parameter
0.5 V
CC
0.4 V
CC
0.44 V
CC
1.82
2.58
3.94
Min
1.9
2.9
4.4
http://onsemi.com
NLSF3T125
T
A
= 25°C
3
Typ
0.0
0.0
0.0
2.0
3.0
4.5
0.3 V
CC
0.18 V
CC
0.18 V
CC
±0.25
1.35
0.36
0.36
0.36
Max
±0.1
0.5
2.0
0.1
0.1
0.1
0.5 V
CC
0.4 V
CC
0.44 V
CC
1.72
2.48
3.80
Min
1.9
2.9
4.4
T
A
3
85°C
0.3 V
CC
0.18 V
CC
0.18 V
CC
1.50
0.44
0.44
0.44
Max
±2.5
±1.0
5.0
0.1
0.1
0.1
20
Min
−40
2.0
0
0
0
0
0.5 V
CC
0.4 V
CC
0.44 V
CC
1.60
2.34
3.66
Min
1.9
2.9
4.4
T
A
3
125°C
Max
5.5
V
CC
+85
5.5
5.5
20
0.3 V
CC
0.18 V
CC
0.18 V
CC
1.65
0.52
0.52
0.52
Max
±2.5
±1.0
0.1
0.1
0.1
10
40
Units
ns/V
°C
V
V
V
Units
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
NLSF3T125
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎ Î Î Î ÎÎ Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î ÎÎ Î Î
Î
Î
Î Î Î Î ÎÎ Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î Î Î Î ÎÎ Î Î
Î Î Î ÎÎ Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎ Î Î Î ÎÎ Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î ÎÎ Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î ÎÎ Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎ Î Î Î ÎÎ Î Î
Î
Î
Î
Î Î Î Î ÎÎ Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î ÎÎ Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î Î Î Î ÎÎ Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î ÎÎ Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎ Î Î Î ÎÎ Î Î
Î
Î
Î
Î Î Î Î ÎÎ Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î ÎÎ Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎ Î Î Î ÎÎ Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î ÎÎ Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î ÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î ÎÎ Î Î
Î
Î
Î Î Î Î ÎÎ Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î ÎÎ Î Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Input t
r
= t
f
= 3.0 ns)
Symbol
t
PLH
,
t
PHL
Parameter
T
A
= 25°C
Typ
14.5
5.6
8.1
3.8
5.3
T
A
3
85°C
T
A
3
125°C
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
Test Conditions
Min
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
Max
Min
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
Max
Min
Max
Units
ns
ns
Maximum Propagation
Delay, A to Y
V
CC
= 2.3
±
0.3 V
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
V
CC
= 2.3
±
0.3 V
C
L
= 15 pF
16.9
8.0
11.5
5.5
7.5
18.1
19.2
12.0
16.0
C
L
= 15 pF
C
L
= 50 pF
C
L
= 15 pF
C
L
= 50 pF
C
L
= 15 pF
9.5
13.0
6.5
8.5
8.5
10.5
t
PZL
,
t
PZH
Maximum Output
Enable TIme, OE to Y
14.8
5.4
7.9
3.6
5.1
16.2
8.0
11.5
5.1
7.1
17.4
19.3
ns
ns
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
R
L
= 1.0 kW
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
R
L
= 1.0 kW
V
CC
= 2.3
±
0.3 V
C
L
= 15 pF
C
L
= 50 pF
C
L
= 15 pF
C
L
= 50 pF
C
L
= 15 pF
C
L
= 50 pF
C
L
= 50 pF
C
L
= 50 pF
C
L
= 50 pF
9.5
13.0
6.0
8.0
11.5
15.0
7.5
9.5
t
PLZ
,
t
PHZ
Maximum Output
Disable Time, OE to Y
15.4
9.5
6.1
18.0
13.2
8.8
1.5
1.0
10
19.8
15.0
10.0
1.5
1.0
10
22.0
18.0
12.0
2.0
1.5
10
ns
ns
ns
ns
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
R
L
= 1.0 kW
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
R
L
= 1.0 kW
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
(Note 1)
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
(Note 1)
t
OSLH
,
t
OSHL
Output−to−Output Skew
C
in
Maximum Input
Capacitance
4
6
pF
pF
C
out
Maximum Three−State
Output Capacitance
(Output in High Impedance
State)
Typical @ 25°C, V
CC
= 5.0V
15
C
PD
Power Dissipation Capacitance (Note 2)
pF
1. Parameter guaranteed by design. t
OSLH
= |t
PLHm
−
t
PLHn
|, t
OSHL
= |t
PHLm
−
t
PHLn
|.
2. C
PD
is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load.
Average operating current can be obtained by the equation: I
CC(OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
/ 4 (per buffer). C
PD
is used to determine the
no−load dynamic power consumption; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
NOISE CHARACTERISTICS
(Input t
r
= t
f
= 3.0 ns, C
L
= 50 pF, V
CC
= 5.0 V)
T
A
= 25°C
Symbol
V
OLP
V
OLV
V
IHD
V
ILD
Characteristic
Quiet Output Maximum Dynamic V
OL
Quiet Output Minimum Dynamic V
OL
Minimum High Level Dynamic Input Voltage
Maximum Low Level Dynamic Input Voltage
Typ
0.3
−0.3
Max
0.8
−0.8
3.5
1.5
Units
V
V
V
V
http://onsemi.com
4
NLSF3T125
SWITCHING WAVEFORMS
3.0V
OE
3.0V
1.5V
A
t
PLH
1.5V
Y
t
PHL
V
OH
V
OL
Y
GND
Y
t
PZL
1.5V
t
PZH
1.5V
t
PHZ
t
PLZ
1.5V
GND
HIGH
IMPEDANCE
V
OL
+ 0.3V
V
OH
- 0.3V
HIGH
IMPEDANCE
Figure 3.
Figure 4.
TEST POINT
OUTPUT
DEVICE
UNDER
TEST
TEST POINT
OUTPUT
1 kW
CONNECT TO V
CC
WHEN
TESTING t
PLZ
AND t
PZL.
CONNECT TO GND WHEN
TESTING t
PHZ
AND t
PZH.
C
L
*
DEVICE
UNDER
TEST
C
L
*
*Includes all probe and jig capacitance
*Includes all probe and jig capacitance
Figure 5. Test Circuit
Figure 6. Test Circuit
http://onsemi.com
5
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
