K7Q323684M-FC22,K7Q323684M-FC22 pdf中文资料,K7Q323684M-FC22引脚图,K7Q323684M-FC22电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> K7Q323684M-FC22

K7Q323684M-FC22: 产品描述QDR SRAM, 1MX36, 2.2ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165; 产品类别存储存储; 文件大小511KB，共17页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K7Q323684M-FC22概述

QDR SRAM, 1MX36, 2.2ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165

K7Q323684M-FC22规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA
包装说明	LBGA, BGA165,11X15,40
针数	165
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	2.2 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	227 MHz
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e0
长度	17 mm
内存密度	37748736 bit
内存集成电路类型	QDR SRAM
内存宽度	36
功能数量	1
端子数量	165
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	1.5/1.8,1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
最小待机电流	1.7 V
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	15 mm

K7Q323684M-FC22相似产品对比

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描述	QDR SRAM, 1MX36, 2.2ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165	QDR SRAM, 1MX36, 2.2ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165	QDR SRAM, 2MX18, 2.2ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165	QDR SRAM, 2MX18, 2.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165	QDR SRAM, 1MX36, 2.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165	QDR SRAM, 2MX18, 2.2ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165	QDR SRAM, 2MX18, 2ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165	QDR SRAM, 1MX36, 2ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165	QDR SRAM, 1MX36, 3ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	LBGA, BGA165,11X15,40	LBGA, BGA165,11X15,40	LBGA, BGA165,11X15,40	LBGA, BGA165,11X15,40	LBGA, BGA165,11X15,40	LBGA, BGA165,11X15,40	LBGA, BGA165,11X15,40	LBGA, BGA165,11X15,40	LBGA, BGA165,11X15,40
针数	165	165	165	165	165	165	165	165	165
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	2.2 ns	2.2 ns	-	2.5 ns	2.5 ns	2.2 ns	-	2 ns	3 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	-	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	-	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	227 MHz	200 MHz	-	166.66 MHz	166.66 MHz	227 MHz	-	250 MHz	133.33 MHz
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE	-	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	-	SEPARATE	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	-	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	-	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e0	e0	-	e0	e0	e0	-	e0	e0
长度	17 mm	17 mm	-	17 mm	17 mm	17 mm	-	17 mm	17 mm
内存密度	37748736 bit	37748736 bit	-	37748736 bit	37748736 bit	37748736 bit	-	37748736 bit	37748736 bit
内存集成电路类型	QDR SRAM	QDR SRAM	-	QDR SRAM	QDR SRAM	QDR SRAM	-	QDR SRAM	QDR SRAM
内存宽度	36	36	-	18	36	18	-	36	36
功能数量	1	1	-	1	1	1	-	1	1
端子数量	165	165	-	165	165	165	-	165	165
字数	1048576 words	1048576 words	-	2097152 words	1048576 words	2097152 words	-	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	-	2000000	1000000	2000000	-	1000000	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	-	70 °C	70 °C	70 °C	-	70 °C	70 °C
组织	1MX36	1MX36	-	2MX18	1MX36	2MX18	-	1MX36	1MX36
输出特性	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA	LBGA	-	LBGA	LBGA	LBGA	-	LBGA	LBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	-	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	-	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	-	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	-	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V	-	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V	-	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm	1.4 mm	-	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	-	1.4 mm	1.4 mm
最小待机电流	1.7 V	1.7 V	-	1.7 V	1.7 V	1.7 V	-	1.7 V	1.7 V
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	-	1.9 V	1.9 V	1.9 V	-	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	-	1.7 V	1.7 V	1.7 V	-	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	-	1.8 V	1.8 V	1.8 V	-	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	-	YES	YES	YES	-	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	BALL	-	BALL	BALL	BALL	-	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	-	1 mm	1 mm	1 mm	-	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	-	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	-	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	15 mm	15 mm	-	15 mm	15 mm	15 mm	-	15 mm	15 mm

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