DDR DRAM, 1GX72, CMOS, HALOGEN FREE, MO-269R/CN, RDIMM-240
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Micron Technology |
| 零件包装代码 | DIMM |
| 包装说明 | DIMM, |
| 针数 | 240 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N240 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 133.35 mm |
| 内存密度 | 77309411328 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 72 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 240 |
| 字数 | 1073741824 words |
| 字数代码 | 1000000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 1GX72 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 座面最大高度 | 18.9 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.45 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.283 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.35 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | GOLD |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| MT36KDYS1G72PZ-1G4M1 | MT36KDYS1G72PZ-1G4XX | MT36KDYS1G72PZ-1G1XX | MT36KDYS1G72PZ-1G6XX | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | DDR DRAM, 1GX72, CMOS, HALOGEN FREE, MO-269R/CN, RDIMM-240 | DDR DRAM, 1GX72, CMOS, HALOGEN FREE, MO-269R/CN, RDIMM-240 | DDR DRAM, 1GX72, CMOS, HALOGEN FREE, MO-269R/CN, RDIMM-240 | DDR DRAM, 1GX72, CMOS, HALOGEN FREE, MO-269R/CN, RDIMM-240 |
| 厂商名称 | Micron Technology | Micron Technology | Micron Technology | Micron Technology |
| 零件包装代码 | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM |
| 包装说明 | DIMM, | DIMM, | DIMM, | DIMM, |
| 针数 | 240 | 240 | 240 | 240 |
| Reach Compliance Code | unknown | compli | compli | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N240 | R-XDMA-N240 | R-XDMA-N240 | R-XDMA-N240 |
| JESD-609代码 | e4 | e4 | e4 | e4 |
| 长度 | 133.35 mm | 133.35 mm | 133.35 mm | 133.35 mm |
| 内存密度 | 77309411328 bit | 77309411328 bi | 77309411328 bi | 77309411328 bi |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 72 | 72 | 72 | 72 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 240 | 240 | 240 | 240 |
| 字数 | 1073741824 words | 1073741824 words | 1073741824 words | 1073741824 words |
| 字数代码 | 1000000000 | 1000000000 | 1000000000 | 1000000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 1GX72 | 1GX72 | 1GX72 | 1GX72 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 座面最大高度 | 18.9 mm | 18.9 mm | 18.9 mm | 18.9 mm |
| 自我刷新 | YES | YES | YES | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.45 V | 1.45 V | 1.45 V | 1.45 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.283 V | 1.283 V | 1.283 V | 1.283 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.35 V | 1.35 V | 1.35 V | 1.35 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | GOLD | GOLD | GOLD | GOLD |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子节距 | 1 mm | 1 mm | 1 mm | 1 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
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