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MR820

产品描述5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小3MB,共2页
制造商TAYCHIPST
官网地址http://www.taychipst.com
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MR820概述

5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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MR820 THRU MR828
Fast Silicon Rectifiers
FEATURES
50V-800V
5.0A
· Plastic package has Underwrites Laboratory Flammability
Classification 94V-0
· Fast switching speed
· Diffused junction
· High current capability
· High temperature soldering guaranteed : 250℃/10 seconds,
0.375"(9.5mm) lead length, 5 lbs.(2.3kg) tension.
Mechanical Data
· Case : P-6 molded plastic body
· Terminals : Plated axial lead solderable per MIL-STD-750,
method 2026
· Polarity : Color band denotes cathode end
· Mounting Position : Any
· Weight : 0.07 ounce, 2.1 grams
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified, Single phase, half wave 60Hz, resistive or inductive
load. For capacitive load, derate by 20%)
Symbols
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375" (9.5mm) lead length at T
A
=55℃
Peak forward surge current 8.3ms single half
sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC method)
Maximum instantaneous forward voltage
at 5.0A
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
T
A
=25℃
T
A
=100℃
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
Trr
R
θJA
C
J
T
J
T
STG
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50
35
50
100
70
100
200
140
200
5.0
300.0
1.1
10
100
120
10
300
-55 to +150
400
280
400
600
420
600
800
560
800
Units
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
Volts
μA
ns
℃/W
pF
Maximum reverse recovery time (Note 1)
Maximum thermal resistance
Typical junction capacitance (Note 2)
Operating junction and storage
temperature range
Notes:
(1) Test conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
rr
=0.25A.
(2) Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts.
E-mail: sales@taychipst.com
1 of 2
Web Site: www.taychipst.com

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