电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SB3H100

产品描述3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小8MB,共2页
制造商TAYCHIPST
官网地址http://www.taychipst.com
下载文档 选型对比 全文预览

SB3H100概述

3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

文档预览

下载PDF文档
SB3H90 THRU SB3H100
High Voltage Schottky Rectifiers
90V-100V
3.0A
FEATURES
DO-201AD
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
• Low power loss, high efficiency
• For use in low voltage high frequency inverters,
free wheeling, and polarity protection applications
• Guardring for overvoltage protection
• High temperature soldering guaranteed:
250°C/10 seconds at terminals
1.0 (25.4)
Min.
0.210 (5.3)
0.190 (4.8)
Dia.
0.375 (9.5)
0.285 (7.2)
Mechanical Data
Case:
JEDEC DO-201AD molded plastic body
Terminals:
Plated axial leads, solderable per
MIL-STD-750, Method 2026
Polarity:
Color band denotes cathode end
Mounting Position:
Any
Weight:
0.04 oz., 1.12g
1.0 (25.4)
Min.
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
Dia.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Maximum Ratings and Thermal Characteristics
(T
Parameter
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum working reverse voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current at T
L
= 90°C
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Peak repetitive reverse surge current at t
p
= 2.0µs, 1KH
Z
Critical rate of rise of reverse voltage
Maximum thermal resistance
(2)
Storage temperature range
Maximum operating junction temperature
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
I
RRM
dv/dt
R
θJA
R
θJL
T
STG
T
J
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
A
= 25°C unless otherwise noted)
SB3H90
90
90
90
3.0
100
1.0
10,000
30
10
SB3H100
100
90
100
Unit
V
V
V
A
A
A
V/µs
°C/W
°C
°C
–55 to +175
+175
Electrical Characteristics
Maximum instantaneous
forward voltage at:
(1)
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
I
F
= 3.0A, T
J
= 25°C
I
F
= 3.0A, T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
F
I
R
0.80
0.65
20
4
V
µA
mA
Notes:
(1) Pulse test: 300µs pulse width, 1% duty cycle
(2) P.C.B. mounted with 0.2 x 0.2” (5.0 x 5.0mm) copper pad areas
E-mail: sales@taychipst.com
1 of 2
Web Site: www.taychipst.com

SB3H100相似产品对比

SB3H100 SB3H90
描述 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
有新加坡驱动开发的朋友吗?
新加坡的朋友请与我联系,wopafeng@hotmail.com...
sgb0321 嵌入式系统
今天收到英特尔活动的小音箱
今天收到英特尔活动的小音箱,,,,,,,,,,,打开原来是无线蓝牙的音箱,谢谢英特,谢谢eeworld...
maoshen 聊聊、笑笑、闹闹
运行Keil故障
运行Keil 时出现“MISSING DEVICE (R003:SECURITY KEY NOT FOUND0)”是怎么会事??...
owen666 嵌入式系统
在北京寻求基于嵌入式dvr内核的扩展设计。
基本功能需要: 基于DVR解决方案为基础进行开发的一种嵌入式控制系统。能接手机模块、触摸屏、无线WIFI、近距离315M无线控制等。详细请联系QQ528503778...
xueshixiang ARM技术
stm32内存压力测试
请问,对stm32的内存进行压力测试,有什么好的方法没? ...
LcCode stm32/stm8
STR710FZ2T6与STR710RZT6的区别是不是只有FLASH?
在datasheet上没有看见STR710RZT6的相关说明,请问是不是除了没有FLASH,在功能、封装等等与STR710FZ2T6一样?...
wukaihongxyz stm32/stm8

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 895  1843  2209  2287  731  19  38  45  47  15 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved