IC BUFFER AMPLIFIER, DIP8, HYBRID, DIP-8, Buffer Amplifier
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.9 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | BUFFER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.005 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 200 MHz |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.005 µA |
| 最大输入失调电压 | 25000 µV |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 12.446 mm |
| 负供电电压上限 | -20 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -25 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.9 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 6.1976 mm |
| 最小摆率 | 2000 V/us |
| 标称压摆率 | 2400 V/us |
| 最大压摆率 | 24 mA |
| 供电电压上限 | 20 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | FET |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 22.86 mm |
| LH0033CJ | LH0033G | |
|---|---|---|
| 描述 | IC BUFFER AMPLIFIER, DIP8, HYBRID, DIP-8, Buffer Amplifier | IC BUFFER AMPLIFIER, MBCY12, METAL CAN, TO-8, 12 PIN, Buffer Amplifier |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） | National Semiconductor（TI ） |
| 零件包装代码 | DIP | BCY |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.9 | TO-8, QUAD12,.4SQ |
| 针数 | 8 | 12 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | BUFFER | BUFFER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.005 µA | 0.0025 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 200 MHz | 200 MHz |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.005 µA | 0.0025 µA |
| 最大输入失调电压 | 25000 µV | 15000 µV |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T8 | O-MBCY-W12 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 负供电电压上限 | -20 V | -20 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 12 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -25 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | METAL |
| 封装代码 | DIP | TO-8 |
| 封装等效代码 | DIP8,.9 | QUAD12,.4SQ |
| 封装形状 | RECTANGULAR | ROUND |
| 封装形式 | IN-LINE | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-15 V | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 最小摆率 | 2000 V/us | 2000 V/us |
| 标称压摆率 | 2400 V/us | 2400 V/us |
| 最大压摆率 | 24 mA | 22 mA |
| 供电电压上限 | 20 V | 20 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | FET | FET |
| 温度等级 | OTHER | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | WIRE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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