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2N5550TRD

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小406KB,共6页
制造商Central Semiconductor
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2N5550TRD概述

Small Signal Bipolar Transistor, 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

2N5550TRD规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Code_compli
基于收集器的最大容量6 pF
集电极-发射极最大电压140 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)60
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
VCEsat-Max0.25 V
Base Number Matches1
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