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RN2965CT: 产品描述Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小207KB，共8页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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RN2965CT概述

Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications

RN2965CT规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Toshiba(东芝)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6
针数	6
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.36
最大集电极电流 (IC)	0.05 A
集电极-发射极最大电压	20 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	120
JESD-30 代码	R-PDSO-N6
元件数量	2
端子数量	6
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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RN2961CT~RN2966CT

TOSHIBA Transistor

Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)

RN2961CT,RN2962CT,RN2963CT

RN2964CT,RN2965CT,RN2966CT

Switching Applications

Inverter Circuit Applications

Interface Circuit Applications

Driver Circuit Applications

0.9±0.05

Unit: mm

1.0±0.05

0.15±0.03

0.2±0.03

６

５

４

0.6±0.02

Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6 pin)

package.

Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count, which

enables the manufacture of ever more compact equipment and saves

assembly cost.

Complementary to RN1961CT to RN1966CT

0.2±0.03

•

１

２

３

0.35±0.02

0.075±0.03

0.7±0.03

•

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

Type No.

RN2961CT

RN2962CT

RN2963CT

RN2964CT

RN2965CT

RN2966CT

R1 (kΩ)

4.7

2.2

4.7

R2 (kΩ)

4.7

0.38 +0.02

-0.03

1.EMIITTER1

2.EMITTER2

3.BASE2

4.COLLECTOR2

5.BASE1

CST6

6.COLLECTOR1

JEDEC

JEITA

TOSHIBA

―

2-1K1A

Weight: 1.0 mg (typ.)

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C) (Q1, Q2 common)

Characteristics

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

RN2961CT to 2966CT

RN2961CT to 2964CT

RN2965CT, 2966CT

Symbol

CBO

CEO

EBO

(Note1)

stg

Rating

−20

−10

−5

−50

140

150

−55

to 150

Unit

°C

Equivalent Circuit

(top view)

0.05±0.03

(E1)

(E2)

(B2)

(C2)

(B1)

(C1)

Note1:

Note:

Total rating, mounted on glass-epoxy board of 10mm×10mm×1mmt.

Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly

even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute

maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2009-04-17

RN2965CT相似产品对比

	RN2965CT	RN2961CT	RN2962CT	RN2963CT	RN2964CT	RN2966CT
描述	Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications	Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications	Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications	Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications	Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications	Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6
针数	6	6	6	6	6	6
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.36	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC)	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A
集电极-发射极最大电压	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	120	30	60	100	120	120
JESD-30 代码	R-PDSO-N6	R-PDSO-N6	R-PDSO-N6	R-PDSO-N6	R-PDSO-N6	R-PDSO-N6
元件数量	2	2	2	2	2	2
端子数量	6	6	6	6	6	6
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	-	1	-	1	1	1

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