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RN2708JE: 产品描述Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小328KB，共6页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/; 标准

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RN2708JE概述

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

RN2708JE规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数	5
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.14
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	80
JESD-30 代码	R-PDSO-F5
元件数量	2
端子数量	5
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.1 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	200 MHz
Base Number Matches	1

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RN2707JE~RN2709JE

TOSHIBA Transistor

Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor)

RN2707JE,RN2708JE,RN2709JE

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and

Driver Circuit Applications

•

Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (5 pin) package.

Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.

Reducing the parts count enables the manufacture of ever more compact

equipment and lowers assembly cost.

•

A wide range of resistor values are available for use in various circuit

designs.

Complementary to RN1707JE to RN1709JE

Unit: mm

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

Type No.

RN2707JE

RN2708JE

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

1.BASE1

(B1)

2.EMITTER

(E)

3.BASE2

(B2)

4.COLLECTOR2 (C2)

5.COLLECTOR1 (C1)

RN2709JE

JEDEC

JEITA

TOSHIBA

―

2-2P1D

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C) (Q1, Q2 common)

Characteristics

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

RN2707JE

to 2709JE

RN2707JE

Emitter-base voltage

RN2708JE

RN2709JE

Collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

RN2707JE

to 2709JE

(Note 1)

stg

EBO

Symbol

CBO

CEO

Rating

−50

−6

−7

−15

−100

100

150

−55~150

°C

Unit

Weight: 3 mg (typ.)

Equivalent Circuit

(top view)

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Note 1: Total rating

2010-05-14

RN2708JE相似产品对比

	RN2708JE	RN2707JE	RN2709JE
描述	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
是否Rohs认证	符合	符合	符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数	5	5	5
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.14	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.69	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	50 V
配置	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	80	80	70
JESD-30 代码	R-PDSO-F5	R-PDSO-F5	R-PDSO-F5
元件数量	2	2	2
端子数量	5	5	5
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.1 W	0.1 W	0.1 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	200 MHz	200 MHz	200 MHz
厂商名称	-	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)

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