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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> RN2113ACT
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RN2113ACT

产品描述Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小149KB，共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN2113ACT概述

Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications

RN2113ACT规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.08 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-XBCC-N3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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RN2112ACT,RN2113ACT
TOSHIBA Transistor
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor)
RN2112ACT,RN2113ACT
Switching Applications
Inverter Circuit Applications
Interface Circuit Applications
Driver Circuit Applications
1.0±0.05
Unit: mm
0.6±0.05
0.5±0.03
0.25±0.03
Reducing the parts count enables the manufacture of ever more
compact equipment and lowers assembly cost.
•
Complementary to RN1112CT, RN1113CT
0.25±0.03
•
Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.
１
２
0.35±0.02
0.15±0.03
0.65±0.02
0.05±0.03
•
Extra small package (CST3) is applicable for extra high density
fabrication.
３
Equivalent Circuit
C
1.BASE
CST3
B
R1
2.EMITTER
3.COLLECOTR
JEDEC
JEITA
E
TOSHIBA
2-1J1A
Weight: 0.75 mg (typ.)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
Rating
−50
−50
−5
−80
100 *
150
−55
to 150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
* : Mounted on FR4 board (10 mm
×
10 mm
×
1 mmt)
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant
change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating
conditions (i.e.operatingtemperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
1
2009-04-17
0.38 +0.02
-0.03
0.05±0.03
―
―

RN2113ACT相似产品对比

RN2113ACT RN2112ACT
描述 Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
包装说明 CHIP CARRIER, R-XBCC-N3 CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR BUILT-IN BIAS RESISTOR
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 0.08 A 0.08 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 120 120
JESD-30 代码 R-XBCC-N3 R-XBCC-N3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER
极性/信道类型 PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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