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RN2101MFV

产品描述Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小195KB,共8页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN2101MFV概述

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

RN2101MFV规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-F3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
Base Number Matches1

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RN2101MFV∼RN2106MFV
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
RN2101MFV,RN2102MFV,RN2103MFV
RN2104MFV,RN2105MFV,RN2106MFV
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and
Driver Circuit Applications
0.22 ± 0.05
Unit: mm
1.2 ± 0.05
0.32 ± 0.05
0.80 ± 0.05
Ultra-small package, suited to very high density mounting
Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of parts,
so enabling the manufacture of ever more compact equipment and lowering
assembly cost.
A wide range of resistor values is available for use in various circuits.
Complementary to the RN1101MFV to RN1106MFV
0.8 ± 0.05
1
1.2 ± 0.05
0.4
0.4
1
3
2
0.13 ± 0.05
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
Type No.
RN2101MFV
RN2102MFV
RN2103MFV
RN2104MFV
RN2105MFV
RN2106MFV
R1 (kΩ)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2 (kΩ)
4.7
10
22
47
47
47
0.5 ± 0.05
1. BASE
VESM
2. EMITTER
3. COLLECTOR
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN2101MFV to 2106MFV
RN2101MFV to 2106MFV
RN2101MFV to 2104MFV
RN2105MFV, 2106MFV
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
(Note 1)
T
j
T
stg
Rating
−50
−50
−10
−5
−100
150
150
−55
to 150
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-1L1A
Weight: 1.5 mg (typ.)
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Note:
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute
maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Note 1: Mounted on an FR4 board (25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6 mm)
0.5
0.45
Land Pattern Example
Unit:mm
1.15
0.4
0.45
0.4
0.4
1
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