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RN1970FE: 产品描述Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小270KB，共6页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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RN1970FE概述

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

RN1970FE规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Toshiba(东芝)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数	6
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	120
JESD-30 代码	R-PDSO-F6
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	6
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.1 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	250 MHz

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RN1970FE,RN1971FE

TOSHIBA Transistor

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)

RN1970FE,RN1971FE

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver

Circuit Applications

•

Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6 pin)

package.

Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.

Reducing the parts count enable the manufacture of ever more compact

equipment and save assembly cost.

Complementary to RN2970FE, RN2971FE

Unit: mm

•

Equivalent Circuit

JEDEC

JEITA

TOSHIBA

―

2-2N1A

(Q1, Q2 common)

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Characteristics

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

Symbol

CBO

CEO

EBO

(Note 1)

stg

Rating

100

150

−55~150

Unit

°C

Weight:0.003 g (typ.)

Equivalent Circuit

(top view)

Note:

Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high

temperature/current/voltage and the significant change in temperature,

etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly

even if the operating conditions (i.e. operating

temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba

Semiconductor Reliability Handbook (“Handling

Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual

reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).

Note 1: Total rating

2007-11-01

RN1970FE相似产品对比

	RN1970FE	RN1971FE
描述	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
厂商名称	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数	6	6
Reach Compliance Code	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	BUILT IN BIAS RESISTOR	BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	120	120
JESD-30 代码	R-PDSO-F6	R-PDSO-F6
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	1	1
端子数量	6	6
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.1 W	0.1 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	FLAT	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	250 MHz	250 MHz

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