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SMBH1G150US60

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 7PM-BA, 7 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小386KB,共10页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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SMBH1G150US60概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 7PM-BA, 7 PIN

SMBH1G150US60规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fairchild
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
针数7
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)150 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-PUFM-X7
元件数量1
端子数量7
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)625 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)460 ns
标称接通时间 (ton)195 ns
VCEsat-Max2.7 V

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