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RN1961CT: 产品描述Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小185KB，共8页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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RN1961CT概述

Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications

RN1961CT规格参数

参数名称	属性值
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6
针数	6
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)	0.05 A
集电极-发射极最大电压	20 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	30
JESD-30 代码	R-PDSO-N6
元件数量	2
端子数量	6
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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RN1961CT~RN1966CT

TOSHIBA Transistor

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)

RN1961CT,RN1962CT,RN1963CT

RN1964CT,RN1965CT,RN1966CT

Switching Applications

Inverter Circuit Applications

Interface Circuit Applications

Driver Circuit Applications

0.9±0.05

Unit: mm

1.0±0.05

0.15±0.03

0.2±0.03

６

５

４

0.6±0.02

•

Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6 pin)

package.

Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.

Reducing the parts count enable the manufacture of ever more

compact equipment and save assembly cost.

１

0.2±0.03

２

３

0.35±0.02

0.075±0.03

0.7±0.03

•

Complementary to RN2961CT to RN2966CT

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

Type No.

RN1961CT

RN1962CT

RN1963CT

RN1964CT

RN1965CT

RN1966CT

R1 (kΩ)

4.7

2.2

4.7

R2 (kΩ)

4.7

CST6

JEDEC

JEITA

TOSHIBA

(E1)

1.EMITTER1

(E2)

2.EMITTER2

(B2)

3.BASE2

4.COLLECTOR2 (C2)

(B1)

5.BASE1

6.COLLECTOR１ (C1)

―

2-1K1A

Weight: 1 mg (typ.)

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

(Q1, Q2 common)

Characteristics

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

RN1961CT

to 1966CT

RN1961CT

to 1964CT

Emitter-base voltage

RN1965CT,

1966CT

Symbol

CBO

CEO

Rating

EBO

RN1961CT

RN1966CT

(Note1)

stg

150

−55

to 150

°C

Unit

Equivalent Circuit

(top view)

Collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Note1: Total rating

2009-04-14

0.38 +0.02

-0.03

0.05±0.03

RN1961CT相似产品对比

	RN1961CT	RN1962CT	RN1963CT	RN1964CT	RN1965CT	RN1966CT
描述	Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications	Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications	Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications	Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications	Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications	Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6
针数	6	6	6	6	6	6
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.36	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC)	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A
集电极-发射极最大电压	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	30	60	100	120	120	120
JESD-30 代码	R-PDSO-N6	R-PDSO-N6	R-PDSO-N6	R-PDSO-N6	R-PDSO-N6	R-PDSO-N6
元件数量	2	2	2	2	2	2
端子数量	6	6	6	6	6	6
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	-	-	1	1

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