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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> RN1706JE
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RN1706JE

产品描述Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小539KB，共8页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN1706JE概述

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

RN1706JE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数5
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)80
JESD-30 代码R-PDSO-F5
元件数量2
端子数量5
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
Base Number Matches1

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RN1701JE~RN1706JE
TOSHIBA Transistor
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor)
RN1701JE,RN1702JE,RN1703JE
RN1704JE,RN1705JE,RN1706JE
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and
Driver Circuit Applications
•
•
Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (5 pin)
package.
Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.
Reducing the parts count enables the manufacture of ever more compact
equipment and lowers assembly cost.
•
•
A wide range of resistor values is available for use in various circuit
designs.
Complementary to RN2701JE~RN2706JE
1.BASE1
(B1)
2.EMITTER
(E)
3.BASE2
(B2)
4.COLLECTOR2 (C2)
5.COLLECTOR1 (C1)
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
C
Type No.
RN1701JE
RN1702JE
R2
RN1703JE
RN1704JE
E
RN1705JE
RN1706JE
R1 (kΩ)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2 (kΩ)
4.7
10
22
47
47
47
B
R1
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
―
―
2-2P1D
Weight: 0.003 g (typ.)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C) (Q1, Q2 common)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
RN1701JE~
1706JE
RN1701JE~
1704JE
RN1705JE,
RN1706JE
Symbol
V
CBO
V
CEO
Rating
50
50
10
V
EBO
5
I
C
P
C
(Note 1)
T
j
T
stg
100
100
150
−55~150
mA
mW
°C
°C
V
Unit
V
V
Equivalent Circuit
(top view)
5
Q1
4
Q2
Emitter-base voltage
1
2
3
Collector current
Collector power dissipation RN1701JE~
1706JE
Junction temperature
Storage temperature range
Note:
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute
maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Note 1: Total rating
1
2007-11-01

RN1706JE相似产品对比

RN1706JE RN1701JE RN1702JE RN1703JE RN1704JE RN1705JE
描述 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数 5 5 5 5 5 5
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.37
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V
配置 COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 80 30 50 70 80 80
JESD-30 代码 R-PDSO-F5 R-PDSO-F5 R-PDSO-F5 R-PDSO-F5 R-PDSO-F5 R-PDSO-F5
元件数量 2 2 2 2 2 2
端子数量 5 5 5 5 5 5
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.1 W 0.1 W 0.1 W 0.1 W 0.1 W 0.1 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz
Base Number Matches 1 - 1 - 1 1

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