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RN1112CT

产品描述Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小149KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN1112CT概述

Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications

RN1112CT规格参数

参数名称属性值
包装说明CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.05 A
集电极-发射极最大电压20 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)300
JESD-30 代码R-XBCC-N3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

RN1112CT相似产品对比

RN1112CT RN1113CT
描述 Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications
包装说明 CHIP CARRIER, R-XBCC-N3 CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR BUILT-IN BIAS RESISTOR
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.05 A
集电极-发射极最大电压 20 V 20 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 300 300
JESD-30 代码 R-XBCC-N3 R-XBCC-N3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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