电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

VSB10P05

产品描述3400 W, UNIDIRECTIONAL, 8 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小664KB,共7页
制造商ProTek Devices
官网地址http://www.protekdevices.com/
下载文档 详细参数 全文预览

VSB10P05概述

3400 W, UNIDIRECTIONAL, 8 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE

VSB10P05规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称ProTek Devices
Objectid2064270138
包装说明R-PSIP-T10
针数10
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
compound_id6008473
其他特性LOW CAPACITANCE
最小击穿电压6 V
击穿电压标称值6 V
最大钳位电压9.8 V
配置COMMON ANODE, 8 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PSIP-T10
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散3400 W
元件数量8
端子数量10
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)245
极性UNIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压5 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 60  192  720  721  1337 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved