Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 80 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 100 |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| 2N6388-BP-HF | 2N6388-BP | |
|---|---|---|
| 描述 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | TO-220, 3 PIN |
| Reach Compliance Code | _compli | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 10 A | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 80 V | 80 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 100 | 100 |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
