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HER602G

产品描述3A,100V,Ultra Fast Rectifiers, Diodes, Single, 100V, 6A, 1V, 6A, 150A
产品类别分立半导体   
文件大小253KB,共2页
制造商Galaxy Microelectronics
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HER602G概述

3A,100V,Ultra Fast Rectifiers, Diodes, Single, 100V, 6A, 1V, 6A, 150A

HER602G规格参数

参数名称属性值
厂商名称Galaxy Microelectronics
零件包装代码R-6
Reach Compliance Codeunknown
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流6 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.06 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
类别
VRRM (V) max100
IF (A) max6
VF (V) max1
Condition1_IF (A)6
IFSM (A) max150
IR (uA) max10
Condition2_VR (V)100
trr (ns) max50
AEC QualifiedNO
最高工作温度150
最低工作温度-55
是否无铅
符合ReachYES
符合RoHSYES
Package OutlinesR-6
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