BUFFER AMPLIFIER, MBCY12, METAL CAN, TO-8, 12 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 包装说明 | TO-8, QUAD12,.4SQ |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | BUFFER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0075 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 100 MHz |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.0015 µA |
| 最大输入失调电压 | 10000 µV |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W12 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 负供电电压上限 | -20 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 12 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装代码 | TO-8 |
| 封装等效代码 | QUAD12,.4SQ |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最小摆率 | 1000 V/us |
| 标称压摆率 | 1500 V/us |
| 最大压摆率 | 22 mA |
| 供电电压上限 | 20 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| LH0033AG | LH0033ACG | LH0033ACG/A+ | LH0033CJ/A+ | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | BUFFER AMPLIFIER, MBCY12, METAL CAN, TO-8, 12 PIN | BUFFER AMPLIFIER, MBCY12, METAL CAN, TO-8, 12 PIN | IC,VOLT FOLLOWER,SINGLE,HYBRID,QUAD,12PIN,METAL | IC,VOLT FOLLOWER,SINGLE,HYBRID,DIP,8PIN,CERAMIC |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 包装说明 | TO-8, QUAD12,.4SQ | TO-8, QUAD12,.4SQ | QIP, QUAD12,.4SQ | DIP, DIP8,.9 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| 放大器类型 | BUFFER | BUFFER | BUFFER | BUFFER |
| 标称带宽 (3dB) | 100 MHz | 100 MHz | 100 MHz | 100 MHz |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.0015 µA | 0.0025 µA | 0.0025 µA | 0.005 µA |
| 最大输入失调电压 | 10000 µV | 20000 µV | 20000 µV | 25000 µV |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W12 | O-MBCY-W12 | S-MQIP-T12 | R-XDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V | -15 V | -15 V |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 12 | 12 | 12 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -25 °C | -25 °C | -25 °C |
| 封装主体材料 | METAL | METAL | METAL | CERAMIC |
| 封装代码 | TO-8 | TO-8 | QIP | DIP |
| 封装等效代码 | QUAD12,.4SQ | QUAD12,.4SQ | QUAD12,.4SQ | DIP8,.9 |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | SQUARE | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | IN-LINE | IN-LINE |
| 电源 | +-15 V | +-15 V | +-15 V | +-15 V |
| 最小摆率 | 1000 V/us | 1000 V/us | 1000 V/us | 1000 V/us |
| 最大压摆率 | 22 mA | 24 mA | 24 mA | 24 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR | HYBRID | HYBRID |
| 温度等级 | MILITARY | OTHER | OTHER | OTHER |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE | WIRE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | QUAD | DUAL |
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