LM2817A-250/B,LM2817A-250/B pdf中文资料,LM2817A-250/B引脚图,LM2817A-250/B电路-Datasheet-电子工程世界

LM2817A-250/B: 产品描述EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, MOS, CQCC32; 产品类别存储存储; 文件大小152KB，共5页; 制造商LSC/CSI; 官网地址https://lsicsi.com

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LM2817A-250/B概述

EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, MOS, CQCC32

LM2817A-250/B规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	LSC/CSI
包装说明	QCCN, LCC32,.45X.55
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	250 ns
其他特性	10000 ERASE/PROGRAM CYCLES; DATA RETENTION > 10 YEARS
命令用户界面	NO
数据轮询	YES
数据保留时间-最小值	10
耐久性	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-CQCC-N32
JESD-609代码	e0
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	2048 words
字数代码	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	2KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QCCN
封装等效代码	LCC32,.45X.55
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
编程电压	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	MOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	NO
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms

LM2817A-250/B相似产品对比

	LM2817A-250/B	LE2817A-300	LM2817A-300/B	LE2817A-250
描述	EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, MOS, CQCC32	EEPROM, 2KX8, 300ns, Parallel, MOS, CQCC32	EEPROM, 2KX8, 300ns, Parallel, MOS, CQCC32	EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, MOS, CQCC32
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	LSC/CSI	LSC/CSI	LSC/CSI	LSC/CSI
包装说明	QCCN, LCC32,.45X.55	QCCN, LCC32,.45X.55	QCCN, LCC32,.45X.55	QCCN, LCC32,.45X.55
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C	EAR99	3A001.A.2.C	EAR99
最长访问时间	250 ns	300 ns	300 ns	250 ns
其他特性	10000 ERASE/PROGRAM CYCLES; DATA RETENTION > 10 YEARS	10000 ERASE/PROGRAM CYCLES; DATA RETENTION > 10 YEARS	10000 ERASE/PROGRAM CYCLES; DATA RETENTION > 10 YEARS	10000 ERASE/PROGRAM CYCLES; DATA RETENTION > 10 YEARS
命令用户界面	NO	NO	NO	NO
数据轮询	YES	YES	YES	YES
数据保留时间-最小值	10	10	10	10
耐久性	10000 Write/Erase Cycles	10000 Write/Erase Cycles	10000 Write/Erase Cycles	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-CQCC-N32	R-CQCC-N32	R-CQCC-N32	R-CQCC-N32
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
内存密度	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32
字数	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words
字数代码	2000	2000	2000	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	85 °C	125 °C	85 °C
最低工作温度	-55 °C	-40 °C	-55 °C	-40 °C
组织	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QCCN	QCCN	QCCN	QCCN
封装等效代码	LCC32,.45X.55	LCC32,.45X.55	LCC32,.45X.55	LCC32,.45X.55
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
编程电压	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	MOS	MOS	MOS	MOS
温度等级	MILITARY	INDUSTRIAL	MILITARY	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
切换位	NO	NO	NO	NO
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms	10 ms	10 ms	10 ms
Base Number Matches	-	1	1	1

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