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RB521G-30

产品描述0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小36KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RB521G-30概述

0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE

RB521G-30规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-F2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.35 V
JESD-30 代码R-PDSO-F2
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流1 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最大输出电流0.1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
Base Number Matches1

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RB521G-30
Diodes
Schottky barrier diode
RB521G-30
Application
Rectifying small power
External dimensions
(Units : mm)
1.0±0.05
1.4±0.05
Features
1) Ultra small mold type. (VMD2)
2) High reliability
0.6±0.05
0.27±0.03
CATHODE MARK
0.13±0.03
F
Construction
Silicon epitaxial planer
0.5±0.05
ROHM : VMD2
EIAJ :
JEDEC :
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current
Forward current surge peak
Junction temperature
Storage temperature
60Hz, 1cyc.
Symbol
V
R
I
O
I
FSM
Tj
Tstg
Limits
30
100
1
125
−40~+125
Unit
V
mA
A
°C
°C
Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Symbol
V
F
I
R
Min.
Typ.
Max.
0.350
10
Unit
V
µA
I
F
=10mA
V
R
=10V
Conditions
Please pay attention to static electricity when handling.
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