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M368L6423CTL-LB3

产品描述DDR DRAM Module, 64MX64, 0.7ns, CMOS, DIMM-184
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文件大小86KB,共12页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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M368L6423CTL-LB3概述

DDR DRAM Module, 64MX64, 0.7ns, CMOS, DIMM-184

M368L6423CTL-LB3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM184
针数184
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N184
内存密度4294967296 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量1
端子数量184
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM184
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)225
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

M368L6423CTL-LB3相似产品对比

M368L6423CTL-LB3 M368L6423CTL-CA2 M368L6423CTL-LB0 M368L6423CTL-CB3 M368L6423CTL-CB0 M368L6423CTL-LA2
描述 DDR DRAM Module, 64MX64, 0.7ns, CMOS, DIMM-184 DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 DDR DRAM Module, 64MX64, 0.7ns, CMOS, DIMM-184 DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM184 DIMM, DIMM184 DIMM, DIMM184 DIMM, DIMM184 DIMM, DIMM184 DIMM, DIMM184
针数 184 184 184 184 184 184
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.7 ns 0.75 ns 0.75 ns 0.7 ns 0.75 ns 0.75 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 166 MHz 133 MHz 133 MHz 166 MHz 133 MHz 133 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184
内存密度 4294967296 bit 4294967296 bit 4294967296 bit 4294967296 bit 4294967296 bit 4294967296 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 64 64 64 64 64 64
湿度敏感等级 1 1 1 1 1 1
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 184 184 184 184 184 184
字数 67108864 words 67108864 words 67108864 words 67108864 words 67108864 words 67108864 words
字数代码 64000000 64000000 64000000 64000000 64000000 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64MX64 64MX64 64MX64 64MX64 64MX64 64MX64
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM184 DIMM184 DIMM184 DIMM184 DIMM184 DIMM184
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 225 225 225 225
电源 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192 8192
自我刷新 YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 SAMSUNG(三星) - SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)

 
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