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RD38F2030W0YBQ2

产品描述Memory Circuit, Flash+PSRAM+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, STACK, CSP-88
产品类别存储    存储   
文件大小706KB,共54页
制造商Intel(英特尔)
官网地址http://www.intel.com/
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RD38F2030W0YBQ2概述

Memory Circuit, Flash+PSRAM+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, STACK, CSP-88

RD38F2030W0YBQ2规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Intel(英特尔)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA88,8X12,32
针数88
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间70 ns
其他特性CONTAINS 16 MBIT PSRAM, ALSO CONTAINS 64 MBIT FLASH
JESD-30 代码R-PBGA-B88
JESD-609代码e0
长度10 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度16
混合内存类型FLASH+PSRAM+SRAM
功能数量1
端子数量88
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织4MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA88,8X12,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.8,3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.055 mA
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8 mm
eboot中断
#define pISR(*(unsigned *)(0x30000000+0x18))//#define pISR(*(unsigned *)(0x00000000+0x18)) 这里应该填什么?[color=#008000]// Virtual Address 0x0 is mapped to 0x30000000, ISR Address is VA 0x18[/color]void Isr...
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