NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen
Silicon NPN Phototransistor Arrays
BPX 80
BPX 82
…
89
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 440 nm bis 1070 nm
• Hohe Linearität
• Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy
• Gruppiert lieferbar
Features
• Especially suitable for applications from
440 nm to 1070 nm
• High linearity
• Multiple-digit array package of transparent
epoxy
• Available in groups
Applications
• Miniature photointerrupters
• Punched tape reading
• Industrial electronics
• For control and drive circuits
Anwendungen
• Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Lochstreifenleser
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
Typ
Type
BPX 82
BPX 83
BPX 84
BPX 85
BPX 86
BPX 87
BPX 88
BPX 89
BPX 80
Transistoren pro Zeile
Number of Transistors per Array
Maße „A“
Dimensions “A”
min.
max.
4.9
7.4
10
12.5
15
17.6
20.1
22.7
25.2
4.5
7.0
9.6
12.1
14.6
17.2
19.7
22.3
24.8
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P21
Q62702-P25
Q62702-P30
Q62702-P31
Q62702-P22
Q62702-P32
Q62702-P33
Q62702-P26
Q62702-P28
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2000-01-01
1
OPTO SEMICONDUCTORS
BPX 80, BPX 82
…
89
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle
≥
2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t
≤
3 s
Dip soldering temperature
≥
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
≤
3 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle
≥
2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t
≤
5 s
Iron soldering temperature
≥
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
≤
5 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom,
τ <
10
µs
Collector surge current
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 80
230
Einheit
Unit
°C
°C
T
op
;
T
stg
T
S
T
S
300
°C
V
CE
I
C
I
CS
P
tot
R
thJA
32
50
200
90
750
V
mA
mA
mW
K/W
2000-01-01
2
OPTO SEMICONDUCTORS
BPX 80, BPX 82
…
89
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10% von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10% of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Kapazität
Capacitance
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 25 V,
E
= 0
Symbol
Symbol
λ
S max
λ
Wert
Value
850
440
…
1070
Einheit
Unit
nm
nm
A
L
×
B
L
×
W
H
ϕ
0.17
0.6
×
0.6
1.3
…
1.9
±
18
6
mm
2
mm
×
mm
mm
Grad
deg.
pF
C
CE
I
CEO
25 (≤ 200)
nA
2000-01-01
3
OPTO SEMICONDUCTORS
BPX 80, BPX 82
…
89
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern
gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by
arabian figures.
Bezeichnung
Parameter
Fotostrom,
λ =
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 kΩ
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin1)
×
0.3,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
1)
1)
Symbol
Symbol
-A
-B
Werte
Value
-C
Einheit
Unit
I
PCE
I
PCE
t
r
,
t
f
0.32
…
0.63 0.40
…
0.80
≥
0.5
1.7
2.2
2.7
5.5
6
8
mA
mA
µs
V
CEsat
150
150
150
mV
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group.
Die gelieferten Bauelemente sind mit -A, -B, -C gekennzeichnet. Wegen Ausbeuteschwankungen ist jedoch die
Bestellung einer definierten Gruppe -A, -B, -C nicht möglich.
For delivery the components are marked -A, -B, -C. Due to differing yields, it is not possible to order a definite group.
2000-01-01
4
OPTO SEMICONDUCTORS
BPX 80, BPX 82
…
89
Relative Spectral Sensitivity
S
rel
=
f
(λ)
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
E
e
),
V
CE
= 5 V
Total Power Dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Photocurrent
I
PCE
/
I
PCE25
o
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5 V
Collector-Emitter Capacitance
C
CE
=
f
(
V
CE
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Directional Characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
2000-01-01
5
OPTO SEMICONDUCTORS
汽车电子
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
