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UPA822TF-T1

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 2 X 1.25 MM, SOT-363, 6 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小16KB,共1页
制造商NEC(日电)
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UPA822TF-T1概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 2 X 1.25 MM, SOT-363, 6 PIN

UPA822TF-T1规格参数

参数名称属性值
厂商名称NEC(日电)
包装说明2 X 1.25 MM, SOT-363, 6 PIN
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.065 A
基于收集器的最大容量0.9 pF
集电极-发射极最大电压10 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G6
元件数量2
端子数量6
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)7000 MHz

UPA822TF-T1相似产品对比

UPA822TF-T1 UPA822TF
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 2 X 1.25 MM, SOT-363, 6 PIN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 2 X 1.25 MM, SOT-363, 6 PIN
厂商名称 NEC(日电) NEC(日电)
包装说明 2 X 1.25 MM, SOT-363, 6 PIN 2 X 1.25 MM, SOT-363, 6 PIN
Reach Compliance Code unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.065 A 0.065 A
基于收集器的最大容量 0.9 pF 0.9 pF
集电极-发射极最大电压 10 V 10 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
元件数量 2 2
端子数量 6 6
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 7000 MHz 7000 MHz
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