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UPA573T-A

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小64KB,共6页
制造商NEC(日电)
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UPA573T-A概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

UPA573T-A规格参数

参数名称属性值
厂商名称NEC(日电)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)0.1 A
最大漏源导通电阻25 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G5
元件数量2
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

UPA573T-A相似产品对比

UPA573T-A
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
厂商名称 NEC(日电)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
配置 COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压 30 V
最大漏极电流 (ID) 0.1 A
最大漏源导通电阻 25 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G5
元件数量 2
端子数量 5
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON

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