25 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
25 A, 60 V, NPN, 硅, 功率晶体管, TO-218
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | COMSET |
| 包装说明 | TO-3PN, 3 PIN |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 25 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 60 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 15 |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 功耗环境最大值 | 3.5 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 125 W |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 3 MHz |
| VCEsat-Max | 4 V |
| TIP35A | TIP35 | TIP35C | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 25 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 | 25 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 | 25 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-254 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | COMSET | COMSET | COMSET |
| 包装说明 | TO-3PN, 3 PIN | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow |
| 外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 25 A | 25 A | 25 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 60 V | 40 V | 100 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 15 | 15 | 15 |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN |
| 功耗环境最大值 | 3.5 W | 3.5 W | 3.5 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 125 W | 125 W | 125 W |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 3 MHz | 3 MHz | 3 MHz |
| VCEsat-Max | 4 V | 4 V | 4 V |
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