Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ITO-220, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | SHINDENGEN |
零件包装代码 | TO-220AB |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 8 A |
集电极-发射极最大电压 | 200 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 19 |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | NPN |
功耗环境最大值 | 30 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 13 MHz |
最大关闭时间(toff) | 1100 ns |
最大开启时间(吨) | 300 ns |
VCEsat-Max | 1 V |
TP8V20FSR | TP8V20FSM | TP8V20FSN | |
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描述 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ITO-220, 3 PIN | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ITO-220, 3 PIN | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ITO-220, 3 PIN |
厂商名称 | SHINDENGEN | SHINDENGEN | SHINDENGEN |
零件包装代码 | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 8 A | 8 A | 8 A |
集电极-发射极最大电压 | 200 V | 200 V | 200 V |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 19 | 10 | 13 |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN |
功耗环境最大值 | 30 W | 30 W | 30 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 13 MHz | 13 MHz | 13 MHz |
最大关闭时间(toff) | 1100 ns | 1100 ns | 1100 ns |
最大开启时间(吨) | 300 ns | 300 ns | 300 ns |
VCEsat-Max | 1 V | 1 V | 1 V |
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