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QM150DY-H1K

产品描述Power Bipolar Transistor, 150A I(C), 1-Element
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小157KB,共2页
制造商POWEREX
官网地址http://www.pwrx.com/Home.aspx
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QM150DY-H1K概述

Power Bipolar Transistor, 150A I(C), 1-Element

QM150DY-H1K规格参数

参数名称属性值
厂商名称POWEREX
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)150 A
最小直流电流增益 (hFE)75
最大降落时间(tf)3000 ns
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大功率耗散 (Abs)690 W
VCEsat-Max2 V

QM150DY-H1K相似产品对比

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描述 Power Bipolar Transistor, 150A I(C), 1-Element Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 1-Element Power Bipolar Transistor, 100A I(C), 1-Element Power Bipolar Transistor, 100A I(C), 1-Element Power Bipolar Transistor, 150A I(C), 1-Element Power Bipolar Transistor, 150A I(C), 1-Element Power Bipolar Transistor, 100A I(C), 1-Element
厂商名称 POWEREX POWEREX POWEREX POWEREX POWEREX POWEREX POWEREX
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 150 A 30 A 100 A 100 A 150 A 150 A 100 A
最小直流电流增益 (hFE) 75 75 75 75 75 75 75
最大降落时间(tf) 3000 ns 3000 ns 3000 ns 3000 ns 3000 ns 3000 ns 3000 ns
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最大功率耗散 (Abs) 690 W 300 W 800 W 800 W 1000 W 1000 W 620 W
VCEsat-Max 2 V 3 V 3 V 2.5 V 2.5 V 3 V 2 V
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