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MWT-14HP

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, DIE-13
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小204KB,共4页
制造商Microwave_Technology_Inc.
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MWT-14HP概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, DIE-13

MWT-14HP规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microwave_Technology_Inc.
零件包装代码DIE
包装说明UNCASED CHIP, R-XUUC-N13
针数13
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
FET 技术METAL SEMICONDUCTOR
最高频带X BAND
JESD-30 代码R-XUUC-N13
元件数量1
端子数量13
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE

MWT-14HP相似产品对比

MWT-14HP MWT-14SP
描述 RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, DIE-13 RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, DIE-13
厂商名称 Microwave_Technology_Inc. Microwave_Technology_Inc.
零件包装代码 DIE DIE
包装说明 UNCASED CHIP, R-XUUC-N13 UNCASED CHIP, R-XUUC-N13
针数 13 13
Reach Compliance Code unknown unknow
配置 SINGLE SINGLE
FET 技术 METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR
最高频带 X BAND X BAND
JESD-30 代码 R-XUUC-N13 R-XUUC-N13
元件数量 1 1
端子数量 13 13
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 UNCASED CHIP UNCASED CHIP
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 UPPER UPPER
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE
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