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BC850ALT3

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小46KB,共1页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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BC850ALT3概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB

BC850ALT3规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量4.5 pF
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)110
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值0.225 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
VCEsat-Max0.6 V

BC850ALT3相似产品对比

BC850ALT3 BC849ALT3
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB 100mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
基于收集器的最大容量 4.5 pF 4.5 pF
集电极-发射极最大电压 45 V 30 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 110 110
JEDEC-95代码 TO-236AB TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN
功耗环境最大值 0.225 W 0.225 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz
VCEsat-Max 0.6 V 0.6 V
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