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EGP30F

产品描述3 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小188KB,共2页
制造商LGE
官网地址http://www.luguang.cn/web_en/index.html
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EGP30F概述

3 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

EGP30F规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DO-27
制造商包装代码DO-27

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EGP30A-EGP30K
High Efficiency Rectifiers
VOLTAGE RANGE: 50 ---
800
V
CURRENT: 3.0 A
Features
Low cost
Diffused junction
Low leakage
Low forward voltage drop
High surge current capability
Easily cleaned with alcohol,Isopropanol
and similar s olvents
The plastic material carries U/L recognition 94V-0
DO - 27
Mechanical Data
Case:JEDEC DO--27,molded plas tic
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.041 ounces,1.15grams
Mounting pos ition: Any
Dimensions in millimeters
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
 
ambient temperature unles s otherwise s pecified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
EGP EGP EGP EGP EGP EGP
EGP EGP
UNITS
30A 30B 30C 30D 30F 30G
30J 30K
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 3.0 A
Maximum reverse current
@T
A
=25
at rated DC blocking voltage
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
@T
A
=125
(Note2)
(Note3)
Maximum reverse recovery time (Note1)
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
R
θ
JL
T
J
T
STG
50
35
50
100
70
100
150
105
150
200
140
200
3.0
300
210
300
400
280
400
600
420
600
800
560
800
V
V
V
A
125.0
A
0.95
5.0
100.0
50
95
1.25
1.7
V
A
75
75
ns
pF
/W
Typical thermal resistance
Storage temperature range
(Note4)
Operating junction temperature range
NOTE: 1. Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
20
8.5
- 55 ---- + 150
- 55 ---- + 150
/W
2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.
3.Thermal resistance junction to ambient.
4.Thermal resistance junction to lead.
http://www.luguang.cn
mail:lge@luguang.cn

EGP30F相似产品对比

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描述 3 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3A, 800V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
封装类型
Case Style
- DO-27 DO-27 - - DO-27 DO-27 DO-27
Maximum recurrent peak reverse voltage - 50 100 - - 400 600 800
Maximum instantaneous forward voltage - 0.95 0.95 - - 1.3 1.7 1.7
TRR(nS) - 50 50 - - 50 75 75
class - Diodes Diodes - - Diodes Diodes Diodes
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