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N275PH02-08

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 355A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小1MB,共13页
制造商IXYS
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N275PH02-08概述

Silicon Controlled Rectifier, 355A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element

N275PH02-08规格参数

参数名称属性值
厂商名称IXYS
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ANODE
配置SINGLE
最大直流栅极触发电流150 mA
JESD-30 代码O-MUPM-H3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
认证状态Not Qualified
最大均方根通态电流355 A
断态重复峰值电压200 V
重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO
端子形式HIGH CURRENT CABLE
端子位置UPPER
触发设备类型SCR

N275PH02-08相似产品对比

N275PH02-08 N0416SC020 N0416SC080 N0416SD020 N0416SD080
描述 Silicon Controlled Rectifier, 355A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element Silicon Controlled Rectifier, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element Silicon Controlled Rectifier, 800 V, SCR Silicon Controlled Rectifier, 200 V, SCR Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element
厂商名称 IXYS IXYS IXYS IXYS IXYS
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
外壳连接 ANODE ANODE ANODE ANODE ANODE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最大直流栅极触发电流 150 mA 150 mA 150 mA 150 mA 150 mA
JESD-30 代码 O-MUPM-H3 O-MUPM-H3 O-MUPM-H3 O-MUPM-H3 O-MUPM-H3
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
断态重复峰值电压 200 V 200 V 800 V 200 V 800 V
重复峰值反向电压 200 V 200 V 800 V 200 V 800 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子形式 HIGH CURRENT CABLE HIGH CURRENT CABLE HIGH CURRENT CABLE HIGH CURRENT CABLE HIGH CURRENT CABLE
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR SCR
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 -

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