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FR105G

产品描述1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小190KB,共2页
制造商LGE
官网地址http://www.luguang.cn/web_en/index.html
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FR105G概述

1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

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FR101G-FR107G
Glass Passivate Rectifiers
VOLTAGE RANGE: 50 --- 1000 V
CURRENT: 1.0 A
Features
Low cost
Glass passivated junction
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
z
Easily cleaned with alcohol,Isopropanol and similar
solvents
The plastic material carries U/L recognition 94V-0
DO - 41
Mechanical Data
Case:JEDEC DO-41,molded plastic
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.012 ounces,0.34 grams
Mounting position: Any
Dimensions in millimeters
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
FR101G FR102G FR103G FR104G FR105G FR106G FR107G UNITS
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
I
FSM
30.0
A
Maximum instantaneous forw ard voltage at 1.0A
Maximum reverse current
@T
A
=25
(Note1)
(Note2)
(Note3)
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θJA
T
J
T
STG
150
1.3
5.0
100.0
250
12.0
55.0
- 55 ---- + 175
- 55 ---- +175
500
V
A
ns
pF
/W
at rated DC blocking voltage @T
A
=100
Maximum reverse recovery time
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE: 1. Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
2. Measured at 1.0MHZ and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.
3.Thermal resistance junction to ambient
http://www.luguang.cn
mail:lge@luguang.cn

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描述 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 RECTIFIER DIODE,200V V(RRM),DO-41 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
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