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IDT71502L45LB

产品描述Standard SRAM, 4KX16, 20ns, CMOS, CQCC48, 0.040 INCH PITCH, LCC-48
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文件大小687KB,共24页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71502L45LB概述

Standard SRAM, 4KX16, 20ns, CMOS, CQCC48, 0.040 INCH PITCH, LCC-48

IDT71502L45LB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码LCC
包装说明0.040 INCH PITCH, LCC-48
针数48
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间20 ns
I/O 类型COMMON/SEPARATE
JESD-30 代码S-CQCC-N48
JESD-609代码e0
长度14.3002 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量48
字数4096 words
字数代码4000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织4KX16
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCN
封装等效代码LCC48,.56SQ,40
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度3.048 mm
最大待机电流0.215 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.215 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子节距1.016 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14.3002 mm

IDT71502L45LB相似产品对比

IDT71502L45LB IDT71502L35LB IDT71502S55LB IDT71502S35LB IDT71502S45LB IDT71502L55LB
描述 Standard SRAM, 4KX16, 20ns, CMOS, CQCC48, 0.040 INCH PITCH, LCC-48 Standard SRAM, 4KX16, 15ns, CMOS, CQCC48, 0.040 INCH PITCH, LCC-48 Standard SRAM, 4KX16, 25ns, CMOS, CQCC48, 0.040 INCH PITCH, LCC-48 Standard SRAM, 4KX16, 15ns, CMOS, CQCC48, 0.040 INCH PITCH, LCC-48 Standard SRAM, 4KX16, 20ns, CMOS, CQCC48, 0.040 INCH PITCH, LCC-48 Standard SRAM, 4KX16, 25ns, CMOS, CQCC48, 0.040 INCH PITCH, LCC-48
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 LCC LCC LCC LCC LCC LCC
包装说明 0.040 INCH PITCH, LCC-48 QCCN, QCCN, 0.040 INCH PITCH, LCC-48 QCCN, QCCN,
针数 48 48 48 48 48 48
Reach Compliance Code not_compliant unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
最长访问时间 20 ns 15 ns 25 ns 15 ns 20 ns 25 ns
JESD-30 代码 S-CQCC-N48 S-CQCC-N48 S-CQCC-N48 S-CQCC-N48 S-CQCC-N48 S-CQCC-N48
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 14.3002 mm 14.3002 mm 14.3002 mm 14.3002 mm 14.3002 mm 14.3002 mm
内存密度 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 16 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 48 48 48 48 48 48
字数 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words
字数代码 4000 4000 4000 4000 4000 4000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 4KX16 4KX16 4KX16 4KX16 4KX16 4KX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES YES YES
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 QCCN QCCN QCCN QCCN QCCN QCCN
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.048 mm 3.048 mm 3.048 mm 3.048 mm 3.048 mm 3.048 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.016 mm 1.016 mm 1.016 mm 1.016 mm 1.016 mm 1.016 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
宽度 14.3002 mm 14.3002 mm 14.3002 mm 14.3002 mm 14.3002 mm 14.3002 mm

 
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