EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-24
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
| 零件包装代码 | SOJ |
| 包装说明 | SOJ, SOJ24/28,.44 |
| 针数 | 24 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | FAST PAGE WITH EDO |
| 最长访问时间 | 70 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-J24 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 18.42 mm |
| 内存密度 | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | EDO DRAM |
| 内存宽度 | 4 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 24 |
| 字数 | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 4MX4 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOJ |
| 封装等效代码 | SOJ24/28,.44 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 电源 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 4096 |
| 座面最大高度 | 3.66 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 最大待机电流 | 0.0002 A |
| 最大压摆率 | 0.08 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 10.16 mm |
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