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TC55V4316FF-133

产品描述IC 128K X 32 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.60 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-100, Static RAM
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共20页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TC55V4316FF-133概述

IC 128K X 32 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.60 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-100, Static RAM

TC55V4316FF-133规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
零件包装代码QFP
包装说明LQFP, QFP100,.63X.87
针数100
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间5 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度32
功能数量1
端子数量100
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP100,.63X.87
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.7 mm
最大待机电流0.003 A
最小待机电流3.1 V
最大压摆率0.33 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3.1 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
宽度14 mm

TC55V4316FF-133相似产品对比

TC55V4316FF-133 TC55V4316FF-167 TC55V4316FF-150
描述 IC 128K X 32 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.60 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-100, Static RAM IC 128K X 32 CACHE SRAM, 4 ns, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.60 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-100, Static RAM IC 128K X 32 CACHE SRAM, 4.4 ns, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.60 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-100, Static RAM
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
零件包装代码 QFP QFP QFP
包装说明 LQFP, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87
针数 100 100 100
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 5 ns 4 ns 4.4 ns
其他特性 PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz 167 MHz 150 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100
JESD-609代码 e0 e0 e0
长度 20 mm 20 mm 20 mm
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 32 32 32
功能数量 1 1 1
端子数量 100 100 100
字数 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 128KX32 128KX32 128KX32
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LQFP LQFP LQFP
封装等效代码 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.7 mm 1.7 mm 1.7 mm
最大待机电流 0.003 A 0.003 A 0.003 A
最小待机电流 3.1 V 3.1 V 3.1 V
最大压摆率 0.33 mA 0.37 mA 0.355 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3.1 V 3.1 V 3.1 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD
宽度 14 mm 14 mm 14 mm

 
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