IC 128K X 32 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.60 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-100, Static RAM
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Toshiba(东芝) |
零件包装代码 | QFP |
包装说明 | LQFP, QFP100,.63X.87 |
针数 | 100 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 5 ns |
其他特性 | PIPELINED ARCHITECTURE |
最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PQFP-G100 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 20 mm |
内存密度 | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | CACHE SRAM |
内存宽度 | 32 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 100 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 128KX32 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LQFP |
封装等效代码 | QFP100,.63X.87 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 2.5/3.3,3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.7 mm |
最大待机电流 | 0.003 A |
最小待机电流 | 3.1 V |
最大压摆率 | 0.33 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3.1 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | QUAD |
宽度 | 14 mm |
TC55V4316FF-133 | TC55V4316FF-167 | TC55V4316FF-150 | |
---|---|---|---|
描述 | IC 128K X 32 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.60 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-100, Static RAM | IC 128K X 32 CACHE SRAM, 4 ns, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.60 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-100, Static RAM | IC 128K X 32 CACHE SRAM, 4.4 ns, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.60 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-100, Static RAM |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) |
零件包装代码 | QFP | QFP | QFP |
包装说明 | LQFP, QFP100,.63X.87 | LQFP, QFP100,.63X.87 | LQFP, QFP100,.63X.87 |
针数 | 100 | 100 | 100 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 5 ns | 4 ns | 4.4 ns |
其他特性 | PIPELINED ARCHITECTURE | PIPELINED ARCHITECTURE | PIPELINED ARCHITECTURE |
最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz | 167 MHz | 150 MHz |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PQFP-G100 | R-PQFP-G100 | R-PQFP-G100 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
长度 | 20 mm | 20 mm | 20 mm |
内存密度 | 4194304 bit | 4194304 bit | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | CACHE SRAM | CACHE SRAM | CACHE SRAM |
内存宽度 | 32 | 32 | 32 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 100 | 100 | 100 |
字数 | 131072 words | 131072 words | 131072 words |
字数代码 | 128000 | 128000 | 128000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 128KX32 | 128KX32 | 128KX32 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LQFP | LQFP | LQFP |
封装等效代码 | QFP100,.63X.87 | QFP100,.63X.87 | QFP100,.63X.87 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK, LOW PROFILE | FLATPACK, LOW PROFILE | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
电源 | 2.5/3.3,3.3 V | 2.5/3.3,3.3 V | 2.5/3.3,3.3 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.7 mm | 1.7 mm | 1.7 mm |
最大待机电流 | 0.003 A | 0.003 A | 0.003 A |
最小待机电流 | 3.1 V | 3.1 V | 3.1 V |
最大压摆率 | 0.33 mA | 0.37 mA | 0.355 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3.1 V | 3.1 V | 3.1 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm | 0.65 mm | 0.65 mm |
端子位置 | QUAD | QUAD | QUAD |
宽度 | 14 mm | 14 mm | 14 mm |
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