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MTP12N18

产品描述MTP12N18
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小66KB,共1页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

MTP12N18概述

MTP12N18

MTP12N18规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)12 A
最大漏极电流 (ID)12 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
元件数量1
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)100 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

MTP12N18相似产品对比

MTP12N18 IRF332 IRF330 IRF631 MTP12N20 IRF333 IRF232 IRF233 IRF633
描述 MTP12N18 IRF332 IRF330 IRF631 MTP12N20 IRF333 TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,8A I(D),TO-204AA TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,150V V(BR)DSS,8A I(D),TO-204AA IRF633
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknow
配置 Single Single Single Single Single Single Single Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 12 A 4.5 A 5.5 A 9 A 12 A 4.5 A 8 A 8 A 8 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 100 W 75 W 75 W 75 W 100 W 75 W 75 W 75 W 75 W
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) - Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)

 
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