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M392T5660QZA-CE60

产品描述DDR DRAM Module, 256MX72, 0.45ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240
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文件大小615KB,共27页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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M392T5660QZA-CE60概述

DDR DRAM Module, 256MX72, 0.45ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240

M392T5660QZA-CE60规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM,
针数240
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间0.45 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XDMA-N240
内存密度19327352832 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量240
字数268435456 words
字数代码256000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织256MX72
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装NO
技术CMOS
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL

M392T5660QZA-CE60相似产品对比

M392T5660QZA-CE60 M392T2863QZA-CF70 M392T5160QJA-CE60 M392T5160QJA-CF70 M392T1G60QQA-CD50 M392T5663QZA-CE60 M392T2863QZA-CE60 M392T5660QZA-CF70
描述 DDR DRAM Module, 256MX72, 0.45ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240 DDR DRAM Module, 128MX72, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240 DDR DRAM Module, 512MX72, 0.45ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240 DDR DRAM Module, 512MX72, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240 DDR DRAM Module, 1GX72, 0.5ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240 DDR DRAM Module, 256MX72, 0.45ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240 DDR DRAM Module, 128MX72, 0.45ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240 DDR DRAM Module, 256MX72, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM, DIMM, DIMM, DIMM, DIMM, DIMM, DIMM,
针数 240 240 240 240 240 240 240 240
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.45 ns 0.4 ns 0.45 ns 0.4 ns 0.5 ns 0.45 ns 0.45 ns 0.4 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240
内存密度 19327352832 bit 9663676416 bit 38654705664 bit 38654705664 bit 77309411328 bit 19327352832 bit 9663676416 bit 19327352832 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 72 72 72 72 72 72 72 72
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 240 240 240 240 240 240 240 240
字数 268435456 words 134217728 words 536870912 words 536870912 words 1073741824 words 268435456 words 134217728 words 268435456 words
字数代码 256000000 128000000 512000000 512000000 1000000000 256000000 128000000 256000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
组织 256MX72 128MX72 512MX72 512MX72 1GX72 256MX72 128MX72 256MX72
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
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