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IRFBG22-011: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 13.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小41KB，共1页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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IRFBG22-011概述

Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 13.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code	unknown
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	1000 V
最大漏极电流 (ID)	1.2 A
最大漏源导通电阻	13.8 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	4.8 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON

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